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4H NのタイプSiC、模造の等級、6"サイズ
PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNepitaxydevice、powerdevices、高温装置および光電子工学装置で加えられる製造業者にSiCsubstrate生産ライン確立されるSiCの結晶成長の技術およびSiCの水晶ウエファーの加工技術を開発しました。高度およびハイテクで物質的な研究および州の協会および中国の半導体の実験室の分野からの一流の製造業者によって投資される基質の質を現在改善し、大型の基質を開発するために専門の会社が私達絶えず捧げられるように。
ここに詳細仕様を示します:
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
4H NのタイプSiC、模造の等級、6"サイズ
| 基質の特性 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
| 記述 | 模造の等級4H SiCの基質 | |
| Polytype | 4H | |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm | |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm | |
| キャリアのタイプ | nタイプ | |
| 添加物 | 窒素 | |
| 抵抗(RT) | 0.012 – 0.0028 Ω·cm | |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） | |
| FWHM | <50 arcsec | |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| 表面のオリエンテーション | ||
| 軸線 | <0001>± 0.5° | |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4°or 8° | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° | |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ±1.70）mm | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | ||
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm | |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 | |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 | |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% | |
| 端の排除 | 1つのmm | |
単結晶SiCの特性
ここに私達は炭化ケイ素の特性を、六角形SiCを含んで、CubicSiCの単結晶SiC比較します。
炭化ケイ素の （SiC）の特性
炭化ケイ素の特性の比較、六角形SiCを含んで、立方SiCの単結晶SiC:
| 特性 | 価値 | 条件 |
| 密度 | 3217 kg/m^3 | 六角形 |
| 密度 | 3210 kg/m^3 | 立方 |
| 密度 | 3200 kg/m^3 | 単結晶 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2960 kg/mm/mm | 陶磁器100g黒 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2745 kg/mm/mm | 陶磁器100g緑 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2480 kg/mm/mm | 単結晶。 |
| ヤングの係数 | 700 GPa | 単結晶。 |
| ヤングの係数 | 410.47 GPa | 、density=3120 kg/m/m/m、室温で陶磁器 |
| ヤングの係数 | 401.38 GPa | 、density=3128 kg/m/m/m、室温で陶磁器 |
| 熱伝導性 | 350 W/m/K | 単結晶。 |
| 降伏強さ | 21 GPa | 単結晶。 |
| 熱容量 | 1.46 J/mol/K | 、temp=1550 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.38 J/mol/K | 、temp=1350 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.34 J/mol/K | 、temp=1200 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.25 J/mol/K | 、temp=1000 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.13 J/mol/K | 、temp=700 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.09 J/mol/K | 、temp=540 C.で陶磁器。 |
| 電気抵抗 | 1. 1e+10 Ω*m | 、temp=20 Cで陶磁器 |
| 耐圧強度 | 0.5655。1.3793 GPa | 、temp=25 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.2897 GPa | 、1つのwt % Bと陶磁器習慣性 |
| 破裂の係数 | 0.1862 GPa | 室温のCeramifc、 |
| ポアソンの比率 | 0.183。0.192 | 、室温で陶磁器、density=3128 kg/m/m/m |
| 破裂の係数 | 0.1724 GPa | 、temp=1300 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.1034 GPa | 、temp=1800 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.07586 GPa | 、temp=1400 Cで陶磁器 |
| 引張強さ | 0.03448。0.1379 GPa | 、temp=25 Cで陶磁器 |
*Reference:CRCの物質科学および工学手引
単結晶SiC、6Hおよび4Hの特性の比較:
| 特性 | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
*Reference:シアムンPowerwayの先端材料Co.、株式会社。
3C SiC、4H SiCおよび6H SiCの特性の比較:
| SiC Polytype | 3C SiC | 4H SiC | 6H SiC |
| 結晶構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱（立方） | ウルツ鉱（六角形） | ウルツ鉱（六角形） |
| 対称のグループ | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| バルク係数 | 2.5 x 1012のdynのcm-2 | 2.2 x 1012のdynのcm-2 | 2.2 x 1012のdynのcm-2 |
| 線形熱拡張係数 | 2.77 （42） x 10-6 K-1 | ||
| Debyeの温度 | 1200のK | 1300のK | 1200のK |
| 融点 | 3103 （40） K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| 密度 | 3.166 g cm3 | 3.21 g cm3 | 3.211 g cm3 |
| 硬度 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| 表面のmicrohardness | 2900-3100のkg mm2 | 2900-3100のkg mm2 | 2900-3100のkg mm2 |
| 比誘電率（静的な） | ε0 ~= 9.72 | 6H SiC比誘電率の価値は通常使用されます | ε0のortの~= 9.66 |
| 赤外線r.i. | ~=2.55 | ~=2.55 （cの軸線） | ~=2.55 （cの軸線） |
| R.i. n （λ） | n （λ）の~= 2.55378 + 3.417 x 104·λ-2 | n0 （λ） ~= 2.5610 + 3.4 x 104·λ-2 | n0 （λ） ~= 2.55531 + 3.34 x 104·λ-2 |
| ne （λ）の~= 2.6041 + 3.75 x 104·λ-2 | ne （λ）の~= 2.5852 + 3.68 x 104·λ-2 | ||
| 放射組み変え係数 | 1.5 x 10-12 cm3/s | 1.5 x 10-12 cm3/s | |
| 光学光子エネルギー | 102.8 MEV | 104.2 MEV | 104.2 MEV |
| 有効な電子固まり（縦方向の） ml | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| 有効な電子固まり（横断） mt | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| 州のmcdの密度の有効質量 | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| 伝導帯mcの1つの谷の州の密度の有効質量 | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| 伝導性mccの有効質量 | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| 国家mvの密度の有効なホール固まりか。 | 0.6 mo | ~1.0 mo | ~1.0 mo |
| 格子定数 | a=4.3596 A | a = 3.0730 A | a = 3.0730 A |
| b = 10.053 | b = 10.053 |
*参照:IOFFE
SiC 4HおよびSiC 6Hの製造業者の参照:PAM-XIAMENは世界のソリッド ステート照明技術の一流の開発者、彼提供します実線をです:Sinlge水晶SiCのウエファーおよびエピタキシアル ウエファーおよびSiCのウエファーの矯正
SiCの強力な整流器
強力なダイオード整流器は力転換回路の重大なブロックです。実験SiCの整流器の結果の最近の検討は参照3、134、172、180、および181で与えられます。ほとんどの重要なSiCのダイオード整流器装置設計トレードオフは電流密度、電圧、出力密度および切り替え速度がSiCで大いにより高いという事実を除いて大体有名なケイ素整流器のトレードオフを、平行にします。例えば、半導体のショットキー ダイオード整流器は（すなわち、望ましくなく不用な力および熱に終って、不利に遅れます）両極pnの接続点整流器の切換え操作を支配する少数キャリア充満貯蔵の不在のために非常に速い切換えを表わすために有名の多数キャリア装置です。但し、大いにより高い電圧のSiCの金属半導体のショットキー ダイオードの高い故障分野そして広いエネルギーbandgapの割り当て操作は（1つのkVの上で）より大いにより高い逆バイアス熱電子の漏出のために~200ボルトの下の操作に限られるショットキーsiliconbasedダイオードと実用的である。