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SiCの基質、生産の等級、10mm x 10mmを半絶縁する6H
PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNのエピタクシー装置、力装置、高温装置および光電子工学装置で加えられる製造業者にSiCsubstrate生産ライン確立されるSiCの結晶成長の技術およびSiCの水晶ウエファーの加工技術を開発しました。高度およびハイテクで物質的な研究および州の協会および中国の半導体の実験室の分野からの一流の製造業者によって投資される基質の質を現在改善し、大型の基質を開発するために専門の会社が私達絶えず捧げられるように。
ここに詳細仕様を示します:
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
SiCの基質、生産の等級、10mm x 10mmを半絶縁する6H
| 基質の特性 | S6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430 |
| 記述 | 半生産の等級6Hの基質 |
| Polytype | 6H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | <30 arcsec <50のarcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線<0001>± 0.5° | |
| <11-20>± 0.5°の方の軸線3.5°を離れて | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーションのSi表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
SiCの結晶構造
polytypesと呼ばれるSiCの水晶に多くの異なった結晶構造があります。現在電子工学のために成長するSiCの共通のpolytypesは立方3C SiC、六角形4H SiCおよび6H SiCおよびrhombohedral 15R SiCです。これらのpolytypesはSiCの構造のbiatomの層の積み重ね順序によって特徴付けられます。詳細については、私達のエンジニアのチームを尋ねて下さい。
SiCのMicroElectromechanicalシステム（MEMS）およびセンサー
この本のmicromachiningのHeskethの章に記述されているように、siliconbased MEMSの開発そして使用は拡大し続けます。この章の前のセクションが従来の半導体の電子デバイスのためのSiCの使用に集中する間、出現MEMSの適用の重要な役割を担うと、SiCはまた期待されます。SiCに腐食性の大気に機械摩耗、また優秀な化学inertnessを減らす極度な硬度および低い摩擦のようなケイ素ベースのMEMSのある欠点に演説する優秀な機械特性があります。例えば、SiCsの優秀な耐久性は検査され電気micromotorsおよびケイ素の機械特性が不十分ようであるマイクロ ジェット機エンジンの発電の源のずっと持続期間操作のために可能になりますように。
残念ながら、SiCにケイ素より耐久にSiCをmicromachineにさらに困難にさせるまた同じ特性。これまでに得られる参照124および190でSiCおよびプロトタイプSiCMEMSの結果の製造の粗環境MEMSの構造へのアプローチは見直されます。行う無力は単一水晶4H-のエッチングを良模造し、ぬれた化学薬品（セクション5.5.4）との6H SiCはこの電子等級SiCのmicromachiningをさらに困難にします。従って、これまでにmicromachining SiCの大半はシリコンの薄片で沈殿する電気で劣ったheteroepitaxial 3C SiCおよび多結晶性SiCで実行されました。バルクにmicromachining、表面にmicromachiningの変化が、およびmicromolding技術は共鳴器およびmicromotorsを含むいろいろmicromechanical構造を、製造するのに使用されていました。ウエファーのスペースおよび費用を他のユーザーと共有している間シリコンの薄片のユーザーが実現することを可能にするmicromechanical製作プロセス鋳物場サービスの標準化されたSiCは彼らの自身のアプリケーション特有のSiCは装置をmicromachinedことを、商用化されています。
高温を、ケイ素で沈殿するSiCの層（セクション5.6.2に記述されているようにを含む高温トランジスター、）要求する適用のためにepilayersが付いている4H/6H SiCのウエファーのMEMSのはるかに可能な電子工学を統合するための概念と可能ではない低漏出SiCの電子工学はまた提案されました。例えば、ジェット・エンジンのより高い温度の地域の使用のために成長する圧力センサーは適切なセンサー操作を達成するように低い接続点の漏出が要求されるという事実のために6H SiCで、主として実行されます。また高温感知の場所で有利に信号処理を成長している可能にするオン破片4H/6Hはトランジスター電子工学を統合しました。すべてのmicromechanicalベースのセンサーによって、（SiCによって可能になる大いにより大きい温度のスパンに熱拡張係数のために組合わせを誤まる起こる）の賦課を感知要素に加工熱の引き起こされた圧力最小にするセンサーをある意味では包むことは重大です。従って（セクション5.5.6で前に述べられる）、高度の包装は粗い環境に有効にMEMSの操作上封筒を拡大することの方にSiCの使用ほとんど重大です。
セクション5.3.1に記述されているように、SiCの粗環境センサーの第一次適用は汚染を減らしている間燃料効率を改善することを燃焼機関システムの活動的なモニタリング及び制御が可能にすることです。一方の端の方に、SiCの高温機能は放出監視の適用および燃料装置の漏水検知のための大きい約束の触媒作用金属SiCおよび金属絶縁体SiCプロトタイプ ガス センサーの構造の認識を可能にしました。可能ではないケイ素とこれらの構造の高温操作は、冷却のための必要性なしにエンジンに容易に控えめに置くことができる非常に小型センサーの百万ごとの部分の感受性への水素および炭化水素の内容の変更の急速な検出を可能にします。但し、SiCベースのガス センサーの信頼性、再現性および費用へのそれ以上の改善はこれらのシステムの前に必要消費者自動車および航空機の広まった使用の準備ができていますです。一般に、同じは広まった有利なシステム挿入を達成しないほとんどのSiC MEMSのために粗い環境の高い信頼性がそれ以上のテクノロジー開発によって確実になるまで言うことができます。