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SiCの基質、研究の等級、準備ができたEpi 2"を半絶縁する6Hサイズ
PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNepitaxydevice、powerdevices、高温装置および光電子工学装置で加えられる製造業者にSiCsubstrate生産ライン確立されるSiCの結晶成長の技術およびSiCの水晶ウエファーの加工技術を開発しました。高度およびハイテクで物質的な研究および州の協会および中国の半導体の実験室の分野からの一流の製造業者によって投資される基質の質を現在改善し、大型の基質を開発するために専門の会社が私達絶えず捧げられるように。
ここに詳細仕様を示します:
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
SiCの基質、研究の等級、準備ができたEpi 2"を半絶縁する6Hサイズ
| 基質の特性 | S6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430 |
| 記述 | 半研究の等級6Hの基質 |
| Polytype | 6H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | <50 arcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線<0001>± 0.5° | |
| <11-20>± 0.5°の方の軸線3.5°を離れて | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーションのSi表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
SiCの結晶構造
polytypesと呼ばれるSiCの水晶に多くの異なった結晶構造があります。現在電子工学のために成長するSiCの共通のpolytypesは立方3C SiC、六角形4H SiCおよび6H SiCおよびrhombohedral 15R SiCです。これらのpolytypesはSiCの構造のbiatomの層の積み重ね順序によって特徴付けられます。詳細については、私達のエンジニアのチームを尋ねて下さい。
飽和速度:
飽和速度は非常に高い電界[1]の前で半導体、一般に電子の荷電粒子最高の速度、達成しますです。彼らが一時的に経験する電界強さに比例した平均漂流の速度で移動をcarriersnormally満たして下さい。比例定数は物質的な特性であるキャリアの移動性として知られています。従ってよいコンダクターに高速を意味する、およびある特定の電界強さのためのより高い現在の値があります荷電粒子のための高い移動性の価値。このプロセスへしかし限界があり、高い分野の価値で、荷電粒子は、ことができ結局材料のキャリアの動きを限るメカニズムによる飽和速度により速く動く達します。
現代マイクロプロセッサで使用されるように副マイクロメートルのスケールの半導体デバイスを、特に設計するとき、速度の飽和は重要な設計特徴です。速度の飽和は世界で設計され、作り出されるほとんどの集積回路で使用される基本的な装置である分野効果のトランジスターの電圧転移特性に非常に影響を与えます。半導体デバイスが速度の飽和を書き入れれば、オームの法律によって期待されるように装置に適用された電圧の増加により流れの線形増加を引き起こしません。その代り、流れは少量増加するただ、または全くかもしれません。電圧にもかかわらず一定した流れを事実上適用した、現在の振幅制限器渡す装置を設計することを試みるときこの結果を利用することは可能です。