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SiCの基質、生産の等級、準備ができたEpi 2"を半絶縁する6H Polytypeサイズ
PAM-XIAMENは電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiC （炭化ケイ素）のウエファーを提供します。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための独特な電気特性そして優秀な熱特性が付いている次世代の半導体材料です。SiCのウエファーは直径で2~6インチNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。より多くの情報のための私達に連絡して下さい
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
SiCの基質、生産の等級、準備ができたEpi 2"を半絶縁する6Hサイズ
| 基質の特性 | S6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430 |
| 記述 | 半生産の等級6Hの基質 |
| Polytype | 6H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0=""> |
| FWHM | <30 arcsec=""> |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線の± <0001>0.5° | |
| ± 0.5°の方の軸線 <11-20>3.5°を離れて | |
| 第一次平らなオリエンテーション | {1-100の} ± 5°を平行にして下さい |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーションのSi表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
単結晶SiCの特性
ここに私達は炭化ケイ素の特性を、六角形SiCを含んで、CubicSiCの単結晶SiC比較します。
炭化ケイ素の （SiC）の特性
炭化ケイ素の特性の比較、六角形SiCを含んで、立方SiCの単結晶SiC:
| 特性 | 価値 | 条件 |
| 密度 | 3217 kg/m^3 | 六角形 |
| 密度 | 3210 kg/m^3 | 立方 |
| 密度 | 3200 kg/m^3 | 単結晶 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2960 kg/mm/mm | 陶磁器100g黒 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2745 kg/mm/mm | 陶磁器100g緑 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2480 kg/mm/mm | 単結晶。 |
| ヤングの係数 | 700 GPa | 単結晶。 |
| ヤングの係数 | 410.47 GPa | 、density=3120 kg/m/m/m、室温で陶磁器 |
| ヤングの係数 | 401.38 GPa | 、density=3128 kg/m/m/m、室温で陶磁器 |
| 熱伝導性 | 350 W/m/K | 単結晶。 |
| 降伏強さ | 21 GPa | 単結晶。 |
| 熱容量 | 1.46 J/mol/K | 、temp=1550 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.38 J/mol/K | 、temp=1350 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.34 J/mol/K | 、temp=1200 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.25 J/mol/K | 、temp=1000 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.13 J/mol/K | 、temp=700 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.09 J/mol/K | 、temp=540 C.で陶磁器。 |
| 電気抵抗 | 1. 1e+10 Ω*m | 、temp=20 Cで陶磁器 |
| 耐圧強度 | 0.5655。1.3793 GPa | 、temp=25 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.2897 GPa | 、1つのwt % Bと陶磁器習慣性 |
| 破裂の係数 | 0.1862 GPa | 室温のCeramifc、 |
| ポアソンの比率 | 0.183。0.192 | 、室温で陶磁器、density=3128 kg/m/m/m |
| 破裂の係数 | 0.1724 GPa | 、temp=1300 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.1034 GPa | 、temp=1800 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.07586 GPa | 、temp=1400 Cで陶磁器 |
| 引張強さ | 0.03448。0.1379 GPa | 、temp=25 Cで陶磁器 |
単結晶SiC、6Hおよび4Hの特性の比較:
| 特性 | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
3C SiC、4H SiCおよび6H SiCの特性の比較:
| SiC Polytype | 3C SiC | 4H SiC | 6H SiC |
| 結晶構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱（立方） | ウルツ鉱（六角形） | ウルツ鉱（六角形） |
| 対称のグループ | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| バルク係数 | 2.5 x 1012のdynのcm-2 | 2.2 x 1012のdynのcm-2 | 2.2 x 1012のdynのcm-2 |
| 線形熱拡張係数 | 2.77 （42） x 10-6 K-1 | ||
| Debyeの温度 | 1200のK | 1300のK | 1200のK |
| 融点 | 3103 （40） K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| 密度 | 3.166 g cm3 | 3.21 g cm3 | 3.211 g cm3 |
| 硬度 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| 表面のmicrohardness | 2900-3100のkg mm2 | 2900-3100のkg mm2 | 2900-3100のkg mm2 |
| 比誘電率（静的な） | ε0 ~= 9.72 | 6H SiC比誘電率の価値は通常使用されます | ε0のortの~= 9.66 |
| 赤外線r.i. | ~=2.55 | ~=2.55 （cの軸線） | ~=2.55 （cの軸線） |
| R.i. n （λ） | n （λ）の~= 2.55378 + 3.417 x 104·λ-2 | n0 （λ） ~= 2.5610 + 3.4 x 104·λ-2 | n0 （λ） ~= 2.55531 + 3.34 x 104·λ-2 |
| ne （λ）の~= 2.6041 + 3.75 x 104·λ-2 | ne （λ）の~= 2.5852 + 3.68 x 104·λ-2 | ||
| 放射組み変え係数 | 1.5 x 10-12 cm3/s | 1.5 x 10-12 cm3/s | |
| 光学光子エネルギー | 102.8 MEV | 104.2 MEV | 104.2 MEV |
| 有効な電子固まり（縦方向の） ml | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| 有効な電子固まり（横断） mt | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| 州のmcdの密度の有効質量 | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| 伝導帯mcの1つの谷の州の密度の有効質量 | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| 伝導性mccの有効質量 | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| 国家mvの密度の有効なホール固まりか。 | 0.6 mo | ~1.0 mo | ~1.0 mo |
| 格子定数 | a=4.3596 A | a = 3.0730 A | a = 3.0730 A |
| b = 10.053 | b = 10.053 |
FAQ
質問:私はSiC 3C 2H 4H 6Hの単結晶を捜して、SiCの他のpolytypesを引用にそれらを含めてまたもらえば0001に沿う結晶学の方向、330マイクロメートルのまわりの厚さおよび2 cm -6 cm間のウエファーの直径が付いている15R polytypes、私に次元についての情報を送ってもよい、か。
答え:それが商品価値ではないので私達が2Hのためにそれに応じて理解するC （0001）を、提供してもいいかまたは15R SiCが、私達提供できない6H SiCは商業化されます、および4H。
SiC 4HおよびSiC 6Hの製造業者の参照:PAM-XIAMENは世界のソリッド ステート照明技術の一流の開発者、彼提供します実線をです:Sinlge水晶SiCのウエファーおよびエピタキシアル ウエファーおよびSiCのウエファーの矯正
ウエファーの直径
切れの中心を含み、平たい箱か他の周辺信用区域を除く円の切れの表面を渡る線形間隔。標準的なシリコンの薄片の直径は次のとおりです:25.4mm （1"）、50.4mm （2"）、76.2mm （3"）、100mm （4"）、125mm （5"）、150mm （6"）、200mm （8"）、および300mm （12"）。
ウエファーの表面を渡る線形次元。測定は各々の個々のウエファーのANSIのcertiのEDデジタル カリパスによって手動で行われます。
ウエファーの厚さ、中心点
薄い（厚さはウエファーの直径によって決まりますが、普通1mmよりより少しです）、円の切れの単一水晶の半導体材料は単結晶の半導体のインゴットから切れました;半導体デバイスおよび集積回路の製造業で使用される;ウエファーの直径は5mmから300mmまで及ぶかもしれません。
各々の個々のウエファーの中心でANSIのcertiのED無接触用具によって測定される。