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半SiCのウエファー、生産の等級、3"を絶縁する4H高い純度サイズ、低いキャリア集中
PAM-XIAMENは良質の単結晶SiC （炭化ケイ素）のwaferfor電子および光電子工学工業を提供します。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体のmaterialwithの独特な電気特性そして優秀な熱特性です。SiCのウエファーは直径で2~6インチNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。より多くの情報のための私達に連絡して下さい
半SiCのウエファーを絶縁する高い純度:広いバンド ギャップが原因で、SiCのウエファーの本質的なキャリア集中は室温で非常に低いです。この価値は3C SiCのための0.13cm-3、4H SiCのための5x10^-2cm2および6H SiCのための1x10^- 6 cm3についてあります。これはSiCの電子デバイスが高温でなぜ働くことができ、漏出流れが非常に小さいか主な理由です。
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
半SiCのウエファー、生産の等級、3"を絶縁する4H高い純度サイズ
| 基質の特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 記述 | 半生産の等級4Hの基質 |
| Polytype | 4H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0=""> |
| FWHM | <30 arcsec=""> |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線の± <0001>0.5° | |
| ± 0.5°の方の軸線 <11-20>3.5°を離れて | |
| 第一次平らなオリエンテーション | {1-100の} ± 5°を平行にして下さい |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーションのSi表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
SiCの結晶成長
バルク結晶成長はそれ以上の装置処理のための基盤を作る単一の結晶の基質の製作のための技術です。SiCの技術の進歩があるためには明らかに私達は再生可能なprocess.6H-のSiCの基質の生産は必要とし、4H- SiCの水晶はるつぼの実用温度が誘導の（RF）または抵抗暖房によって提供される2100-2500°C.まで高温のグラファイトのるつぼで育ちます。成長は薄いSiCの種で行われます。源は多結晶性SiCの粉充満を表します。グロース チャンバのSiCの蒸気は3つの種、搬送ガスによって薄くなる即ち、Si、Si2CおよびSiC2から主に、例えば、アルゴン成っています。SiCの源の進化は気孔率および微粒の直径の時間両方変動および粉の微粒の黒鉛化を含んでいます。
大き区域（ケイ素）の基質の3C SiCの成長
それにもかかわらずSiCの基質の不在にもかかわらず、SiCの敵環境の電子工学の潜在的な利点は目指した適度な研究活動を運転しまmanufacturableウエファーの形態のSiCを得ます。一方の端の方に、大き区域のsiliconsubstratesの上の単一水晶SiCの層のheteroepitaxial成長は1983年に最初に遂行され、偉大な人にいろいろな成長の技術を使用して続いて多くの他を長年にわたって先行していました。主に一定した格子（SiCとSiの~20%の違い）と基質としてケイ素を使用してSiCのheteroepitaxy熱拡張係数（~8%の相違）の大きい相違のために積み重ね欠陥、microtwinsおよび逆転の範囲の境界のような結晶学の構造欠陥の非常に高密度の3C SiCの成長で常に起因します。ケイ素のほかの他のlargeareaのウエファー材料は高い結晶学の欠陥密度のcomparablypoorの質SiCのepilayersのheteroepitaxial成長のための基質、生じるフィルムとして（サファイア、シリコン・オン・インシュレータおよびTiCのような）でした用いられましたが。最も低い結晶学の欠陥密度を達成した最も有望な3C SiCケイ素のアプローチはこれまでにundulantシリコン基板の使用を含みます。但し、この非常に目新しい取り組み方と、ケイ素および大きさ六角形SiCのウエファーと比較される転位密度は非常に高く残ります。
ケイ素で育つある限られた半導体電子デバイスおよび回路が3C SiCで実行される間、これらのの性能は電子工学セクション5.3で論議される操作上の利点のほとんどどれも実行可能に実現されなかった程度への結晶学の欠陥の高密度によってひどく限られるように（この執筆現在で）要約することができます。他の問題の間で、結晶の欠陥は現在の流れが望まれない逆偏りのある装置接続点を渡る寄生流れを「漏らします」。余分な結晶の欠陥が電気装置の欠点をもたらすので、未だ大き区域の基質で育つ3C SiCで製造された商業電子工学がありません。従って、ケイ素で育つ3C SiCにmicroelectromechanicalシステム（MEMS）塗布（セクション5.6.5）で半導体として従来のソリッド ステート トランジスター電子工学で全く使用されるかわりに現在より多くの潜在性がので機械材料あります。