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2インチの自由で永続的なU-GaNの大きさのGaNの基質、GaNの半導体レーザーのためのEpi準備ができた等級
PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。
PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。
2inch支えがないU-GaN GaNの基質
| 項目 | PAM FSGaN 50 U |
| 次元 | 50.8 ±1 mm |
| 厚さ | 350 ±25 μm 430±25μm |
| オリエンテーション | Cは（0001）平になりますM軸線0.35 ±0.15°の方に角度を離れて |
| 平らなオリエンテーション | （1-100） 0 ±0.5°、16 ±1 mm |
| 平らな二次オリエンテーション | （11-20） 0 ±3°、8 ±1 mm |
| 伝導のタイプ |
Nタイプ |
| 抵抗（300K） |
< 0=""> |
| TTV | ≤ 15のμm |
| 弓 | -20 μmの≤の弓≤ 20のμm |
| 表面の粗さ: |
前側:RA<0> 裏側:良い地面または磨かれる。 |
| 転位密度 | 1 x 105から5 x 10 6 cm -2から（CLによって計算される） * |
| マクロ欠陥密度 | < 2="" cm="">-2 |
| 使用可能な区域 | > 90% （端およびマクロ欠陥の排除） |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で |
Undoped 2inch支えがないU-GaN GaNの基質
PAM-XIAMENのGaN （ガリウム窒化物）の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecry stal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD （すみれ色、青および緑）のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。
GaNは非常に堅いです（12±2 GPaの高熱容量および熱伝導性の機械的に安定した広いbandgapの半導体材料。純粋な形態ではそれは割れることを抵抗し、格子定数の不適当な組み合わせにもかかわらずサファイアまたは炭化ケイ素の薄膜で、沈殿することができます。GaNはケイ素(Si)またはnタイプへの酸素およびpタイプへのマグネシウム(Mg)と添加することができます。但し、SiおよびMg原子の変更GaNの水晶が育つ方法、抗張圧力をもたらしおよび壊れやすくさせます。Galliumnitrideの混合物はまた1平方センチメートルあたり108から1010の欠陥の順序の高い転位密度が、ありがちです。GaNの広いバンド ギャップの行動はバンド構造、充満職業および化学結合の地域の特定の変更に接続されます
GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。なお、GaNは高い故障の強さのおかげでネットワーキングの細胞基地局のようなRFの適用に理想的に、レーダーおよびケーブル・テレビ下部組織、大気および宇宙空間および防衛セクター、低雑音図および高い直線性適します。
表面の荒さGaNの基質材料テスト レポート
テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。
表面の粗さは通常荒さに短くされ、表面の質の部品です。それは理想的な形態からの実質の表面の正常なベクトル方向の偏差によって量を示されます。これらの偏差が大きければ、表面は荒いです;それらが小さければ、表面は滑らかです。表面の測定では、荒さは一般に測定スケールの表面の高周波短波の長さの部品であると考慮されます。実際にはしかし頻繁に表面が目的のために適していることを保障するために広さおよび頻度を知っていることは必要です。
GaNの基質材料の表面の粗さの例は次あります:
表面の荒さgan
III窒化物の半導体レーザーの積み重ね