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Iii窒化物装置のためのU-GaN平らな支えがないHvpe-GaNの基質
PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。
PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。
ここに詳細仕様を示します:
U-GaN平らな支えがないGaNの基質
| 項目 | PAM FSGaN A-U |
| 次元 | 5つx 10のmm2 |
| 厚さ | 350 ±25 µm 430±25のµm |
| オリエンテーション |
M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面（11-20） C軸線-1 ±0.2°の方の角度を離れた平面（11-20） |
| 伝導のタイプ | Nタイプ |
| 抵抗（300K） | < 0=""> |
| TTV | ≤ 10のµm |
| 弓 | -10 µmの≤の弓≤ 10のµm |
| 表面の粗さ: |
前側:RA<0> 裏側:良い地面または磨かれる。 |
| 転位密度 | 1 x 10 5から5 x 106 cm-2から |
| マクロ欠陥密度 | 0のcm-2 |
| 使用可能な区域 | > 90% （端の排除） |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で |
U-GaN平らな支えがないGaNの基質
PAM-XIAMENのGaN （ガリウム窒化物）の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecrystal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD （すみれ色、青および緑）のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。
GaNは非常に堅いです（12±2 GPaの高熱容量および熱伝導性の機械的に安定した広いbandgapの半導体材料。純粋な形態ではそれは割れることを抵抗し、格子定数の不適当な組み合わせにもかかわらずサファイアまたは炭化ケイ素の薄膜で、沈殿することができます。GaNはケイ素(Si)またはnタイプへの酸素およびpタイプへのマグネシウム(Mg)と添加することができます。但し、SiおよびMg原子の変更GaNの水晶が育つ方法、抗張圧力をもたらしおよび壊れやすくさせます。Galliumnitrideの混合物はまた1平方センチメートルあたり108から1010の欠陥の順序の高い転位密度が、ありがちです。GaNの広いバンド ギャップの行動はバンド構造、充満職業および化学結合の地域の特定の変更に接続されます。
GaNの基質の格子定数
ガリウム窒化物の格子変数は高い‐の決断Xの‐光線の回折を使用して測定されました
GaNのウルツ鉱のsructure。格子定数a対温度。
GaNのウルツ鉱のsructure。格子定数c対温度
GaNの基質の特性
| 特性/材料 | 立方（ベータ） GaN | 六角形の（アルファ） GaN |
| 。 | 。 | 。 |
| 構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱 | Wurzite |
| 空間群 | F bar4 3m | C46v （= P63mc） |
| 安定性 | 準安定 | 安定した |
| 300Kの格子変数 | 0.450 nm | a0 = 0.3189 nm c0 = 0.5185 nm |
| 300Kの密度 | 6.10 g.cm -3 | 6.095 g.cm -3 |
| 300 Kの弾性率 | . 。 | . 。 |
| 線形熱拡張の係数。 | . 。 | a0に沿って:5.59x10-6 K-1 c0に沿って:7.75x10-6 K-1 |
| 300 K | ||
| 計算された自発の分極 | 適当 | – 0.029 C M2 Bernardini等1997年 Bernardini及びFiorentini 1999年 |
| 計算された圧電気係数 | 適当 | e33 = + 0.73 C M2 e31 = – 0.49 C M2 Bernardini等1997年 Bernardini及びFiorentini 1999年 |
| 音量子エネルギー | :68.9 MEV LO:91.8 MEV |
A1 （に）:66.1 MEV E1 （に）:69.6 MEV E2:70.7 MEV A1 （LO）:91.2 MEV E1 （LO）:92.1 MEV |
| Debyeの温度 | 600K （推定される） slack 1973年 |
|
| 熱伝導性 近い300K |
. 。 | 単位:Wcm-1K-1 1.3、 Tansley等1997b 2.2±0.2 厚くのため、支えがないGaN Vaudo等2000年 2.1 （0.5） レオの文書のため 少数の（多数の）転位ところ Florescu等2000年2001年 1.7から1.0頃 n=1x1017への4x1018cm-3のため HVPE材料 Florescu、Molnar等2000年 2.3 ± 0.1 Fe添加されたHVPE材料 ca. 2 x108オームcmの、 及び転位密度ca. 105のcm-2 （また与えられるT及び転位密度の効果）。 Mion等、2006a、2006b |
| 融点 | . 。 | . 。 |
| 比誘電率 低く/低い頻度 |
. 。 | a0に沿って:10.4 c0に沿って:9.5 |
| R.i. | 3eVの2.9 Tansley等1997b |
3.38eVの2.67 Tansley等1997b |
| エネルギー ギャップの例えば性質 | 直接 | 直接 |
| 1237Kの例えばエネルギー ギャップ | 2.73 eV 等Ching華Su、2002年 |
|
| 293-1237 Kの例えばエネルギー ギャップ | 3.556 - 9.9x10-4T2/（T+600） eV 等Ching華Su、2002年 |
|
| 300 Kの例えばエネルギー ギャップ | 3.23 eV ラミレス フローレス島等1994年 。 3.25 eV Logothetidis等1994年 |
3.44 eV Monemar 1974年 。 3.45 eV Koide等1987年 。 3.457 eV 等Ching華Su、2002年 |
| ca. 0 Kの例えばエネルギー ギャップ | 3.30 eV ラミレス フローレス島とal1994 Ploog等1995年 |
3.50 eV ディングル等1971年 Monemar 1974年 |
| Conc本質的なキャリア。300 K | . 。 | . 。 |
| …提供者のイオン化エネルギー | . …。 | . …。 |
| 電子有効質量私*/m0 | . 。 | 0.22 ムーア等2002年 |
| 300 Kの電子移動度 のためn = 1x1017 cm3: のためn = 1x1018 cm3: のためn = 1x1019 cm3: |
. 。 | ca. 500 cm2V-1s-1 ca. 240 cm2V-1s-1 ca. 150 cm2V-1s-1 及びGaskill 1995年乗りました Tansley等1997a |
| 77 Kの電子移動度 のためn =。 |
. …。 | . …。 |
| アクセプターのイオン化エネルギー | . 。 | Mg:160 MEV Amano等1990年 Mg:171 MEV Zolper等1995年 カリフォルニア:169 MEV Zolper等1996年 |
| 300 Kの穴のホール移動性 p=のため…。 |
. 。 | . …。 |
| 77 Kの穴のホール移動性 p=のため…。 |
. …。 | . 。 |
| 。 | 立方（ベータ） GaN | 六角形の（アルファ） GaN |
GaNの基質の適用
3.4 eVの直接バンド ギャップのガリウム窒化物（GaN）は、短波の発光装置の開発の有望な材料です。GaNのための他の光学装置の塗布は半導体のレーザーおよび光学探知器を含んでいます。