シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
正会員
6 年
ホーム / 製品 / GaNのウエファー /

Iii窒化物装置のためのU-GaN平らな支えがないHvpe-GaNの基質

企業との接触
シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。
シティ:xiamen
省/州:fujian
国/地域:china
企業との接触

Iii窒化物装置のためのU-GaN平らな支えがないHvpe-GaNの基質

最新の価格を尋ねる
原産地 :中国
最低順序量 :1-10,000pcs
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :10,000のウエファー/月
受渡し時間 :5-50仕事日
包装の細部 :、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
項目 :PAM-FS-GANのA-U
製品名 :U-GaN支えがないGaNの基質
伝導のタイプ :N のタイプ
ディメンション :5 x 10 mm2
厚さ :350 ±25 μm 430±25μm
他の名前 :ganウエファー
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

Iii窒化物装置のためのU-GaN平らな支えがないHvpe-GaNの基質

 

PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない(ガリウム窒化物) GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。

 

PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。

 

ここに詳細仕様を示します:

U-GaN平らな支えがないGaNの基質

項目 PAM FSGaN A-U
次元 5つx 10のmm2
厚さ 350 ±25 µm 430±25のµm
オリエンテーション

M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面(11-20)

C軸線-1 ±0.2°の方の角度を離れた平面(11-20)

伝導のタイプ Nタイプ
抵抗(300K) < 0="">
TTV ≤ 10のµm
-10 µmの≤の弓≤ 10のµm
表面の粗さ:

前側:RA<0>

裏側:良い地面または磨かれる。

転位密度 1 x 10 5から5 x 106 cm-2から
マクロ欠陥密度 0のcm-2
使用可能な区域 > 90% (端の排除)
パッケージ 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U-GaN平らな支えがないGaNの基質

PAM-XIAMENのGaN (ガリウム窒化物)の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecrystal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD (すみれ色、青および緑)のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。

 

GaNは非常に堅いです(12±2 GPaの高熱容量および熱伝導性の機械的に安定した広いbandgapの半導体材料。純粋な形態ではそれは割れることを抵抗し、格子定数の不適当な組み合わせにもかかわらずサファイアまたは炭化ケイ素の薄膜で、沈殿することができます。GaNはケイ素(Si)またはnタイプへの酸素およびpタイプへのマグネシウム(Mg)と添加することができます。但し、SiおよびMg原子の変更GaNの水晶が育つ方法、抗張圧力をもたらしおよび壊れやすくさせます。Galliumnitrideの混合物はまた1平方センチメートルあたり108から1010の欠陥の順序の高い転位密度が、ありがちです。GaNの広いバンド ギャップの行動はバンド構造、充満職業および化学結合の地域の特定の変更に接続されます。

 

GaNの基質の格子定数

 

ガリウム窒化物の格子変数は高い‐の決断Xの‐光線の回折を使用して測定されました

Iii窒化物装置のためのU-GaN平らな支えがないHvpe-GaNの基質

 

 

GaNのウルツ鉱のsructure。格子定数a対温度。

 

Iii窒化物装置のためのU-GaN平らな支えがないHvpe-GaNの基質

 

GaNのウルツ鉱のsructure。格子定数c対温度

 

 

GaNの基質の特性

 

特性/材料 立方(ベータ) GaN 六角形の(アルファ) GaN
構造 亜鉛閃亜鉛鉱 Wurzite
空間群 F bar4 3m C46v (= P63mc
安定性 準安定 安定した
300Kの格子変数 0.450 nm a0 = 0.3189 nm
c0 = 0.5185 nm 
300Kの密度 6.10 g.cm -3 6.095 g.cm -3
300 Kの弾性率 . 。 . 。
線形熱拡張の係数。 . 。 a0に沿って:5.59x10-6 K-1
c0に沿って:7.75x10-6 K-1
300 K
計算された自発の分極 適当 – 0.029 C M2
Bernardini等1997年
Bernardini及びFiorentini 1999年
計算された圧電気係数 適当 e33 = + 0.73 C M2
e31 = – 0.49 C M2
Bernardini等1997年
Bernardini及びFiorentini 1999年
音量子エネルギー :68.9 MEV 
LO:91.8 MEV
A1 (に):66.1 MEV
E1 (に):69.6 MEV
E2:70.7 MEV
A1 (LO):91.2 MEV
E1 (LO):92.1 MEV
Debyeの温度   600K (推定される)
slack 1973年
熱伝導性
近い300K
. 。 単位:Wcm-1K-1

1.3、
Tansley等1997b

2.2±0.2
厚くのため、支えがないGaN
Vaudo等2000年

2.1 (0.5)
レオの文書のため
少数の(多数の)転位ところ
Florescu等2000年2001年

1.7から1.0頃
n=1x1017への4x1018cm-3のため
HVPE材料
Florescu、Molnar等2000年

2.3 ± 0.1
Fe添加されたHVPE材料
ca. 2 x108オームcmの、
及び転位密度ca. 105のcm-2
(また与えられるT及び転位密度の効果)。
Mion等、2006a、2006b
融点 . 。 . 。
比誘電率
低く/低い頻度
. 。 a0に沿って:10.4
c0に沿って:9.5
R.i. 3eVの2.9
Tansley等1997b
3.38eVの2.67
Tansley等1997b
エネルギー ギャップの例えば性質 直接 直接
1237Kの例えばエネルギー ギャップ   2.73 eV
等Ching華Su、2002年
293-1237 Kの例えばエネルギー ギャップ   3.556 - 9.9x10-4T2/(T+600) eV
等Ching華Su、2002年
300 Kの例えばエネルギー ギャップ 3.23 eV
ラミレス フローレス島等1994年

3.25 eV
Logothetidis等1994年
3.44 eV
Monemar 1974年

3.45 eV
Koide等1987年

3.457 eV
等Ching華Su、2002年
ca. 0 Kの例えばエネルギー ギャップ 3.30 eV
ラミレス フローレス島とal1994
Ploog等1995年
3.50 eV
ディングル等1971年
Monemar 1974年
Conc本質的なキャリア。300 K . 。 . 。
…提供者のイオン化エネルギー . …。 . …。
電子有効質量私*/m0 . 。 0.22
ムーア等2002年
300 Kの電子移動度
のためn = 1x1017 cm3:
のためn = 1x1018 cm3:
のためn = 1x1019 cm3:
. 。 ca. 500 cm2V-1s-1
ca. 240 cm2V-1s-1
ca. 150 cm2V-1s-1

及びGaskill 1995年乗りました
Tansley等1997a
77 Kの電子移動度
のためn =。
. …。 . …。
アクセプターのイオン化エネルギー . 。 Mg:160 MEV
Amano等1990年

Mg:171 MEV
Zolper等1995年

カリフォルニア:169 MEV
Zolper等1996年
300 Kの穴のホール移動性
p=のため…。
. 。 . …。
77 Kの穴のホール移動性
p=のため…。
. …。 . 。
立方(ベータ) GaN 六角形の(アルファ) GaN

 

GaNの基質の適用

 

3.4 eVの直接バンド ギャップのガリウム窒化物(GaN)は、短波の発光装置の開発の有望な材料です。GaNのための他の光学装置の塗布は半導体のレーザーおよび光学探知器を含んでいます。

 

 
商品のタグ:
お問い合わせカート 0