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Waltonの電子工学Co.、株式会社。

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

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EMMCのメモリー チップ

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集積回路の破片

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トランジスターIC破片

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温度検出器の破片

 [16]

無線RFモジュール

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一般目的のリレー

 [6]

TVのダイオードSMD

 [21]

タンタルのチップ・コンデンサ

 [27]

現在の感覚の抵抗器

 [9]

EMMCのメモリー チップ

 [22]

すくいICのソケット

 [7]

電源スイッチIC

 [24]

トランジスター出力オプトカプラー

 [8]

SMD LEDの破片

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力管理IC

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Waltonの電子工学Co.、株式会社。
シティ：shenzhen
国/地域：china
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 EMMCのメモリー チップ
China W25M02GVZEIT否定論履積の抜け目がなく抜け目がないEMMCのメモリー チップ2 Gbit for sale

W25M02GVZEIT否定論履積の抜け目がなく抜け目がないEMMCのメモリー チップ2 Gbit

W25M02GVZEITの記憶IC MultichipはWinbondを包む 製造業者: Winbond 製品カテゴリ: Multichipのパッケージ RoHS: 細部 タイプ:
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China S29AL032D90TFI040平行フラッシュ・メモリIC Async Sram 90ns for sale

S29AL032D90TFI040平行フラッシュ・メモリIC Async Sram 90ns

S29AL032D90TFI040フラッシュ・メモリICのデータ記憶の原物 パフォーマンス特性高性能– 70 ns速いアクセス時間超低いパワー消費量（5つのMHzの典型的な価値）– 200 nAの自動休眠モードの流れ– 200 nAの待機モードの流れ– 9 mAは現在を読んだ– 20のmAプ......
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China FM25640-G EMMCのメモリー チップ8Kx8 5V Framの破片0.019048oz for sale

FM25640-G EMMCのメモリー チップ8Kx8 5V Framの破片0.019048oz

FM25640-G SMD/SMTの記憶及びデータ記憶F-RAM 64 K （8Kx8） 5ボルト 特徴: 64KビットFerroelectric不揮発性RAM●8,192のx 8ビットとして組織される●1兆が（1012）読んだり/高い持久力は書く●45年データ保持●NoDelayTMは書......
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China SRAM TQFP-100 SDR同期EMMCのメモリー チップ4 Mbit for sale

SRAM TQFP-100 SDR同期EMMCのメモリー チップ4 Mbit

IS61SP12832-5TQIの同期記憶データ記憶SRAM TQFP-100 SDR 記憶容量: 4 Mbit アクセス時間: 5 ns 最高のクロック周波数: 100つのMHz......
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China 72851L15PF先入れ先出し法のメモリー チップのデータ記憶8Kx9の長さ14mm for sale

72851L15PF先入れ先出し法のメモリー チップのデータ記憶8Kx9の長さ14mm

72851L15PF元の先入れ先出し法8K X 9二重先入れ先出し法の記憶データ記憶 特徴: •IDT72801は2 IDT72201 256 x 9 FIFOsと同等である •IDT72811は2 IDT72211 512 x 9 FIFOsと同等である •IDT72821は2 IDT7......
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China SRAM 4KX16デュアル ポートEMMCのメモリー チップPGA-84 IDT7024Sの能動態 for sale

SRAM 4KX16デュアル ポートEMMCのメモリー チップPGA-84 IDT7024Sの能動態

IDT7024L20GB元のSRAM 4KX16のデュアル ポートの皿の記憶データ記憶 特徴 ◆同時を可能にする本当のデュアルポートのメモリ セルは同じ記憶場所の読む ◆高速アクセス–コマーシャル:産業15/17/20/25/35/55ns （最高。） –:軍20ns （最高。） –:2......
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China DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAM 512kx8の平行 for sale

DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAM 512kx8の平行

DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAMの平行原物 特徴外部力のtheabsenceの最低データ保持10年のデータは電源切れの間に自動的に保護される512k Xの8揮発静的なRAM、EEPROMまたはフラッシュ・メモリを取り替える無制限周期を書きなさいローパワーCMOS読書......
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China AT45DB161D-SU EMMCのメモリー チップ フラッシュ16M 2.7V 66Mhz for sale

AT45DB161D-SU EMMCのメモリー チップ フラッシュ16M 2.7V 66Mhz

AT45DB161D-SU元のSMD/SMTフラッシュ16M、2.7V、66Mhz DataFlash 特徴 •単一2.5V - 3.6Vか2.7V - 3.6V供給 •RapidS™のシリアル・インタフェース:66MHz最高のクロック周波数 – SPIの多用性があるモード0および3......
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China SST39VF6401B-70-4C-EKE抜け目がない破片64 Mbit TSOP-48 for sale

SST39VF6401B-70-4C-EKE抜け目がない破片64 Mbit TSOP-48

SST39VF6401B-70-4C-EKEの記憶IC抜け目がないSMD/SMT TSOP-48 •4M x16として組織される •単一の電圧読書および操作– 2.7-3.6V --を書くため •優秀な信頼性–持久力:100,000の周期（典型的） –保持100年以上データ •低い電力......
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China MT40A512M16HA-083Eのフラッシュ・メモリICのドラム8 Gbit 512Mx16 for sale

MT40A512M16HA-083Eのフラッシュ・メモリICのドラム8 Gbit 512Mx16

MT40A512M16HA-083E:記憶ICドラムSDRAM - DDR4 SMD/SMTの皿 •VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV •VPP = 2.5V、– 125mV、+250mV •オン ダイス、内部、調節可能なVREFDQの生成 •1.2V擬似オープン下水管入力......
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