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MT40A512M16HA-083E:記憶ICドラムSDRAM - DDR4 SMD/SMTの皿
•VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
•VPP = 2.5V、– 125mV、+250mV
•オン ダイス、内部、調節可能なVREFDQの生成
•1.2V擬似オープン下水管入力/出力
•TCの温度較差で8192周期の時を新たになりなさい:– -40°Cへの85°C – >85°Cへの95°Cの32msの64ms – >95°Cへの105°Cの16ms
•16の内部銀行（x4、x8）:4つの銀行の4グループそれぞれ
•8つの内部銀行（x16）:4つの銀行の2グループそれぞれ
•8nビット先取りの建築
•プログラム可能なデータ ストロボの序文
•データ ストロボの序文の訓練
•命令/住所潜伏（CAL）
•多目的記録の読書および機能を書くため
•Write水平になること•自己によってはモードが新たになる
•ローパワー自動自己は新たになる（LPASR）
•温度調整された新たにしなさい（TCR）
•良い粒度は新たになる
•自己によっては飛行中止が新たになる
•最高の節電
•出力運転者の口径測定
•体言、公園および動的オン ダイスの終了（ODT）
•データ・バスのためのデータ・バス逆転（DBI）
•命令/住所（カリフォルニア）同等
•Databusは書く巡回冗長検査（CRC）を
•每ドラムのアドレス指定可能性
•結合性テスト
•迎合的なJEDEC JESD-79-4
•sPPRおよびhPPRの機能
| マイクロン・テクノロジ | |
| ドラム | |
| RoHS: | 細部 |
| SDRAM - DDR4 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-96 | |
| 16ビット | |
| 512のM X 16 | |
| 8 Gbit | |
| 1.2 GHz | |
| 1.26 V | |
| 1.14 V | |
| 83 mA | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| MT40A | |
| 皿 | |
| ブランド: | ミクロン |
| 製品タイプ: | ドラム |
| 1020 | |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
