Walton Electronics Co., Ltd.

シンセンWaltonの電子工学Co.、株式会社。

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集積回路の破片

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 集積回路の破片

AD8137YRZ AD8137の差動増幅器の集積回路の破片400 KOhms

在庫で元のAD8137YRZの差動増幅器ICの半導体 特徴 十分に差動 パワー特徴との極端に低い力 2.6 mAの静止供給の流れ@ 5ボルト パワー モードの450 µA @ 5ボルト 高速 110 MHz大きい信号3 dBの帯域幅@ G = 1 450 V/µsのスルー・レー......
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CMOS ICL7612DCTVの集積回路の破片のアンプIC 70dB

在庫で元のICL7612DCTV操作Ampsの演算増幅器IC 特徴●PinのためPin第二の源●+125°Cの1pA典型的なバイアス現在4nA (最高)●±8Vの広い供給電圧の範囲への±1V●業界標準のPinouts●10μAのプログラム可能な静止流れ、100μAおよび1000μA●単一の、......
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HD74LS244Pの論理ICは穴PDIP-20を通してライン・ドライバ緩衝する

穴PDIP-20を通したHD74LS244Pの論理ICの緩衝及びライン・ドライバ 1特徴1•と互換性がある2ボルトに耐久性がある羽毛を入れる3.3-Vか2.5-V論理の入力•5ボルトの15 nsの最高のtpd•3州の出力はバス路線か緩衝記憶を運転するアドレス・レジスター•PNPの入力はDCの......
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TLC272CDR 1.9mAの半導体の精密アンプSOIC8

TLC272CDRの半導体の精密アンプSOIC-8の元の電子工学 適用: 整えられたオフセットの電圧: 25°C、VDDで最高TLC277… 500 µV = 5ボルト 入れられたオフセットの電圧漂流…最初の30日を含む普通0.1 µV/Month、 ......
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A3P250-FG256集積回路の破片SMD SM TFPGAのシステム内プログラム可能なゲート・アレー

A3P250-FG256 SMD/SM TFPGA -システム内プログラム可能なゲート・アレー 特徴 •15 Kから1つのMシステム ゲート •本当のデュアル ポートSRAMの144までKbits •300までユーザーI/Os •130 nmの7層の金属(6銅)、フラッシュ ベースの......
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KSZ9031MNXIA GMII MDIのマイクロチップのイーサネットIC 10Mb/S 100Mb/S 1Gb/S

在庫のKSZ9031MNXIAのイーサネットICマイクロチップ・テクノロジー/Micrelの原物 •単一チップ10/100/1000 MbpsのイーサネットTRANSか。IEEEのために適したceiver 802.3の適用 •3.3V/2.5V/1.8V耐久性があるI/OsのGMII......
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600mV分離した半導体の両極トランジスターBC847C原物

BC847Cの分離した半導体の両極トランジスター元の電子工学の部品 製品特質 属性値 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: 聽の細部 様式の取付け:......
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JM38510 11405BGAの演算増幅器操作Ampの集積回路の破片PM156AJ6

JM38510/11405BGAの演算増幅器-操作Amps PM156AJ6/38510 IC 概説このデータ用紙は単一、ローパワーの、内部償われたJFET入力演算増幅器のための電気条件をようにカバーする 装置タイプ01に06のためにMIL-M-38510/114で指定される。このデ......
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CPLDの複合体のプログラム可能な論理回路集積回路の破片EPM9560ARC208-10

EPM9560ARC208-10 SMD/SMT CPLD -複雑なプログラム可能な論理回路 特徴: ■高性能CMOSのEEPROMベースのプログラム可能な論理回路(PLDs)第三世代の多数の配列のマトリックス(MAX®)の建築で造った ■作り付けのIEEE Std. 1149.1共同テ......
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クォード2の入力否定論履積ゲート単一機能論理回路SN74AC00DR

SN74AC00DR SMD/SMTの論理回路は2入力単一機能ゲートを四つ揃えにする 特徴: ■6-V VCC操作への2-V ■入力は6ボルトに電圧を受け入れる ■5ボルトの7 nsの最高のtpd 製品カテゴリ: 論理回路......
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