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Waltonの電子工学Co.、株式会社。

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

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トランジスターIC破片

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集積回路の破片

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トランジスターIC破片

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温度検出器の破片

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無線RFモジュール

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一般目的のリレー

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TVのダイオードSMD

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タンタルのチップ・コンデンサ

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現在の感覚の抵抗器

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EMMCのメモリー チップ

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すくいICのソケット

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電源スイッチIC

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トランジスター出力オプトカプラー

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SMD LEDの破片

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力管理IC

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Waltonの電子工学Co.、株式会社。
シティ：shenzhen
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 トランジスターIC破片
China ACPL-217-50BEのトランジスター出力オプトカプラーBroadcom Avago SOIC-4 for sale

ACPL-217-50BEのトランジスター出力オプトカプラーBroadcom Avago SOIC-4

ACPL-217-50BEのトランジスター出力オプトカプラーBroadcom/Avago SOIC-4 の現在の移動比率（CTR:= 5 mA、VCC = 5V 50% （分）の） 高い入出力分離の電圧（VISO = 3750VRMS） の非包和応答時間（tr:VCC = 10V、......
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China IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターICはNチャネルMOSFET 40V 60Vを欠く for sale

IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターICはNチャネルMOSFET 40V 60Vを欠く

IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175......
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China 2N3792両極トランジスターBJT 80V 10A 5000mW 3 Pin TO-3の皿 for sale

2N3792両極トランジスターBJT 80V 10A 5000mW 3 Pin TO-3の皿

2N3792両極トランジスターBJT力BJT TRANS GP BJT PNP 80V 10A 5000mW 3 Pin （2+Tab）のTO-3皿 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様......
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China NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V Nチャネルのトランジスター7.5A for sale

NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V Nチャネルのトランジスター7.5A

NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V N -チャネルのトランジスター MOSFET –、N-Channel二重、力SOIC-8 30 V、7.5 A 特徴•伝導の損失を最小にする低いRDS （） •運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス •転換の損......
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China FCB36N60NTM SMD SMT MOSFETのトランジスターIC破片Nチャネル600V for sale

FCB36N60NTM SMD SMT MOSFETのトランジスターIC破片Nチャネル600V

FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT......
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China MPS6560両極トランジスターBJT分離した半導体625mW for sale

MPS6560両極トランジスターBJT分離した半導体625mW

MPS6560両極トランジスターBJT分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT トランジスター極性: NPN 構成: 単一......
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China 2N3439穴TO393を通したバイポーラ トランジスタICの破片 for sale

2N3439穴TO393を通したバイポーラ トランジスタICの破片

穴TO-39-3を通した2N3439分離した半導体の両極トランジスター 製造業者: 元 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様式の取付け:......
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China 穴の両極トランジスターIC破片350mWを通したPNP BCY70 BCY71 for sale

穴の両極トランジスターIC破片350mWを通したPNP BCY70 BCY71

穴の両極トランジスターを通したBCY71 - BJT TRANSの両極小さい信号 記述BCY70、BCY71及びBCY72はJedec TO18の金属の場合のケイ素平面のエピタキシアルPNPのtranistorsである。 FAQ Q:小さい順序を受け入れることができるか。:はい、小......
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China 穴JFET Nチャネル30V低いCissを通した2N4416トランジスターIC破片 for sale

穴JFET Nチャネル30V低いCissを通した2N4416トランジスターIC破片

穴JFET N -チャネル-を通した2N4416原物30ボルトの低速Ciss 特徴 •InterFET N0026Sの幾何学 •低雑音:典型的な4 nV/√Hz •低い漏出:典型的な10pA •迎合的なRoHS •SMT、TH、および裸は選択パッケージの死ぬ。 記述 -......
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China TK30E06N1 S1Xの穴を通した分離した半導体のトランジスターIC破片MOSFET for sale

TK30E06N1 S1Xの穴を通した分離した半導体のトランジスターIC破片MOSFET

TK30E06N1、S1Xの穴を通した分離した半導体のトランジスターMOSFET . （1）低い下水管源のオン抵抗を特色にする:RDSの（） = 12.2のmΩ （タイプ。） （VGS = 10 V） （2）低い漏出流れ:IDSS = 10 µA （最高） （VDS = 60 V） （3......
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