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AT45DB161D-SU元のSMD/SMTフラッシュ16M、2.7V、66Mhz DataFlash
特徴
•単一2.5V - 3.6Vか2.7V - 3.6V供給
•RapidS™のシリアル・インタフェース:66MHz最高のクロック周波数
– SPIの多用性があるモード0および3
•ユーザーの構成可能のページ サイズ
–ページごとの512バイト
–ページごとの528バイト
–ページ サイズは512バイトのために前もって構成される工場である場合もある
•ページ プログラム操作
–理性的なプログラミング操作
–主記憶操置4,096ページ（512-/528-Bytes/Page）
•適用範囲が広い消去の選択
–ページの消去（512バイト）
–ブロックの消去（4 Kバイト）
–セクターの消去（128 Kバイト）
–破片の消去（16-Mbits）
•2つのSRAMのデータ バッファ（512 /528バイト）
–抜け目がない配列をプログラムし直している間データの受け入れを許可する
•全体の配列による連続的な読まれた機能
–適用を尾行するコードのための理想
•ローパワー消滅
–典型的な7mA活動的な読まれた流れ
– 25μAスタンバイの現在の典型的
–典型的な15μA深い力
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の特徴
–個々のセクター
•安全なコードおよびデータ記憶のためのセクターのロック式
–個々のセクター
•保証:128バイトの保証記録
– 64バイトのユーザーのプログラム可能なスペース
–独特な64バイトの装置識別子
•JEDEC標準的な製造業者および装置IDは読んだ
•ページの最低ごとの100,000のプログラム/消去周期
•データ保持
– 20年
•産業温度較差
•緑（迎合的なPb/Halide-free/RoHS）の包装の選択
| 抜け目がない | |
| RoHS: | 細部 |
| SMD/SMT | |
| SOIC-8 | |
| AT45DB161D | |
| 16 Mbit | |
| 2.7 V | |
| 3.6 V | |
| SPI | |
| 66のMHz | |
| 2つのM X 8 | |
| 8ビット | |
| 同期 | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| 建築: | 破片の消去 |
| ブランド: | 在庫の原物 |
| 記憶タイプ: | |
| 製品タイプ: | 抜け目がない |
| 速度: | 66のMHz |
| 標準: | 支えられない |
| 工場パックの量: | 90 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 最高供給の流れ-: | 15 mA |
| 単位重量: | 0.019048 oz |