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一般目的 電界効果トランジスタ のトランジスター/一般目的 NPN のトランジスター
一般目的のトランジスター
• コレクター エミッターの電圧: VCEO= 60V
• コレクターの電力損失: PC （最高の） =625mW
• グラフのための KSP2907 を参照して下さい
PNP のエピタキシアル ケイ素のトランジスター
通知がなければ絶対最高評価 Ta=25°C
記号のパラメータ値の単位
VCBO のコレクター基盤の電圧 -60 V
VCEO のコレクター エミッターの電圧 -60 V
VEBO のエミッター基盤の電圧 -5 V
IC のコレクター流れ -600 mA
PC のコレクターの電力損失 625 MW
TJ の接合部温度 150 の °C TSTG の保管温度 -55 | 150 °C
放棄
フェアチャイルドの半導体は信頼性、機能または設計を改善するためにあらゆるプロダクトへの変更を通告なしに行なう権利をここに確保します。 フェアチャイルドはここに記述されているプロダクトまたは回路の適用か使用から起こる責任を仮定しません; それを運びます特許権の下で免許証も、他の権利もしない。
生命維持の方針
フェアチャイルドのプロダクトは使用のためにので生命維持装置の重大な部品か FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION の明白な文書による承諾なしではシステム承認されません。
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -60 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -60 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
| IC | コレクター流れ | -600 | mA |
| PC | コレクターの電力損失 | 625 | MW |
| TJ | 接合部温度 | 150 | °C |
| TSTG | 保管温度 | -55 | °C |
