2N3906 NPNのトランジスター回路、移動式電源のためのNPN力トランジスター

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
企業との接触

Add to Cart

正会員
Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

SOT-89-3Lはトランジスター2N3906トランジスター(NPN)をプラスチック内部に閉じ込めます。

 

 

 

特徴

Ÿ PNPのケイ素の転換およびアンプの塗布のためのエピタキシアル平面トランジスター

補足のタイプとしてŸは、NPNのトランジスター2N3904推薦されます

Ÿのこのトランジスターはタイプ指定MMBT3906とのSOT-23場合でまた利用できます

 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25ć)

 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧-40V
VCEOコレクター エミッターの電圧-40V
VEBOエミッター基盤の電圧-5V
IC現在連続的なコレクター-0.2A
PCコレクターの電力損失0.625W
TJ接合部温度150ć
Tstg保管温度-55~150ć

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC = -10ΜA、すなわち=0-40  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC =-1MA、IB=0-40  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= -10ΜA、IC=0-5  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB= -40 V、すなわち=0  -0.1µA
コレクタ遮断電流ICEXVCE= -30 V、VEB() =-3V  -50nA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB= -5 V、IC=0  -0.1µA

 

DCの現在の利益

hFE1VCE=-1 V、IC= -10MA100 400 
 hFE2VCE=-1 V、IC= -50MA60   
 hFE3VCE=-2 V、IC= -100MA30   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC= -50MA、IB= -5MA  -0.4V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC= -50MA、IB= -5MA  -0.95V
転移の頻度fT

VCE=-20V、IC= -10MA

f = 100MHz

250  MHz
遅れ時間td

VCC=-3V、VBE=-0.5V

IC=-10mA、IB1=-1mA

  35ns
上昇時間tr   35ns
貯蔵時間TS

VCC=-3V、Ic=-10mA

IB1=IB2=-1mA

  225ns
落下時間tf   75ns

 

 

 


典型的な特徴

 

 

 

 
 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
0 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 

 
 
 SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト
 


TO-92によって提案されるパッドのレイアウト

 

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

China 2N3906 NPNのトランジスター回路、移動式電源のためのNPN力トランジスター supplier

2N3906 NPNのトランジスター回路、移動式電源のためのNPN力トランジスター

お問い合わせカート 0