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高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817
製品の説明
記述
装置は新しいビットLA （線形アンプのための両極トランジスター）の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスター
よい利益直線性の行動を示す。
特徴
- 高い絶縁破壊電圧VCEO = 140ボルト
- 典型的ft = 20のMHz
- 125 ocで十分に特徴付けられて
製品カテゴリ:両極トランジスター
様式の取付け:穴を通して
パッケージ/場合:TO-3P-3
トランジスター極性:NPN
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:140ボルト
エミッターの基礎電圧VEBO:6ボルト
利益帯域幅プロダクトfT:20のMHz
シリーズ:500Vトランジスター
包装:管
連続的なコレクター流れ:12 A
DCのコレクター/基礎利益hfe分:50
Pd -電力損失:100 W
適用
- 電源
Yonlanda Skype: qyt-yolanda1 電子メール: yonlandasong （で） quanyuantong.net |