sot23トランジスタ

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SS8550 SOT-23の電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路SS8550 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

BC846B 1B NPNの一般目的のトランジスターSMD SOT23分離した半導体 特徴•低い現在（最高。100 Ma）•低電圧（最高。65 V）。 適用•一般目的の切換えおよび拡大。 記述Sot23プラスチック パッケージのNpnのトランジスター。Pnp.........

MMBT3904 1AM SOT23のトランジスターとの信頼できる電源の維持を得なさい高いサージ電流の機能の転換回路区域のための有効な、耐久のトランジスター 電源の維持のための信頼でき、有効な電圧安定器の破片を必要としてあるか。MMBT3904 1AM SOT23のトランジスターよりそれ以上.........

標準的な提供（熱い販売法） 部品番号。 量 ブランド D/C パッケージ MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA MCIMX6S7CVM08A...

製品範囲 単一電界効果トランジスタAo3401a力MosfetのP-Channel 30v 4a Sot23のFets AO3401Aは優秀なRDS （）、2.5V低い低いゲート充満および操作のゲートの電圧を提供するのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチか他の一般的な適用として使用........

NPN低いVCESAT MOSFET力トランジスターPNP補足物PBSS4160T 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: NPN タイプの取付け: 表面.........

BC856 SOT23 PNP 0.1A 65V L owNoiseのBJTsの両極トランジスターBC857B BC846 BC847 BC856 BC857 BC807 BC817 両極トランジスター- BJT SOT23 PNP 0.1A 65V L owNoise BC856によるBC85........

BC817-25 45 Vの500 mA NPNの一般目的のトランジスターSOT23 原物 記述 小さいSOT23のNPNの一般目的のトランジスターは装置（SMD）プラスチック パッケージを表面取付けた。 特徴: •高い流れ•3つの現在の利益選択•AEC-Q101は.........

HXY3407 SOT23 Mosfet力トランジスター 記述...

小さいSOT23 （TO-236AB）のNX7002AK NEXPERIAのN-channelの強化モードField-Effectのトランジスター（FET）はDを表面取付けたプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99.........

BSS123LT1G SOT23の小さい信号は100V 170mA Nチャネルのトランジスターを中継で送る BSS123LT1G SOT23はFET MOSFET 100V 170mAのN-Channelを高めた 製造業者: onsemi.........

ON 半導体IC MMBT3904LT1G TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 製造者: 一半 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について 詳細 マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トラン.........

PBSS5160TへのSOT23プラスチック パッケージPNPの補足物のPBSS4160T NPN低いVCEsatのトランジスター 特徴•低いコレクター エミッターの飽和電圧VCEsat•高いコレクター流れの機能ICおよびICM•高性能は、熱生成を減らします•必要なプリント回路板区域を減らします•中......

FDV303N デジタルFET Nチャンネル半RFトランジスタ 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタの偏.........

元および新しいトランジスターSOT-89 ZVN4525ZTA MOSの管 プロダクト 記述: 1.This 250Vの強化モードN-channel MOSFETはhighimpedance機能を扱う有効な力を提供するacompetitive指定をユーザーに与え、熱逃亡および熱的に2.induc........

2N7002H6327XTSA2 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOS™ 小信号トランジスタ パッケージ SOT23 FETタイプ Nチャンネル......

BAV70LT1G IC ダイオードオン半導体アレイ GP 70V 200MA SOT23-3 製品説明 評価以上 -40°C ～ +105°C の温度 部品番号BAV70LT1Gによって製造されていますの上 半導体AYE社が販売しています。.........

S9012に補足S9013 SOT-23 NPNのトランジスター S9013 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 S9012に無料 優秀なhFEの直線性 印:J3 最高の評価（通知がなければTA=25℃） 変数 記号 価値 単位 Collector-Base電圧 VCBO 40 V ......

CMPT2484セントラル半導体ダイオードトランジスタGPBJT NPN 60V 50mA3ピンSOT-23ディスクリート半導体 仕様 ： カテゴリー ディスクリート半導体製品 　 ダイオード-ダイオードショット.........