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2N7002H6327XTSA2 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOS™ 小信号トランジスタ パッケージ SOT23
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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3オーム @ 500mA、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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0.6nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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20 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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500mW(Ta)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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PG-SOT23
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パッケージ・ケース
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特徴
• Nチャンネル
• エンハンスメントモード
• ロジックレベル
• アバランチ定格
• 高速スイッチング
• 鉛フリーの鉛メッキ。RoHS対応
• IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー
