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2N7002H6327XTSA2 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOS™ 小信号トランジスタ パッケージ SOT23
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3オーム @ 500mA、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.6nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 20 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 500mW(Ta) | |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT23 | |
パッケージ・ケース |
特徴
• Nチャンネル
• エンハンスメントモード
• ロジックレベル
• アバランチ定格
• 高速スイッチング
• 鉛フリーの鉛メッキ。RoHS対応
• IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー