NPN低いVcesat Mosfet力トランジスターPNP補足物PBSS4160T

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NPN低いVcesat Mosfet力トランジスターPNP補足物PBSS4160T

型式番号:PBSS4160T、215

原産地:元の製造業者

最低順序量:最低順序量: 10 PCS

支払の言葉:先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer

供給の能力:1000

受渡し時間:3daysの中では

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シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社

正会員

Shenzhen China

住所： 2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 1 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

NPN低いVCESAT MOSFET力トランジスターPNP補足物PBSS4160T

商品は調節する:	真新しい	部分の状態:	活動的
無鉛/Rohs:	不平	機能:	NPN
タイプの取付け:	表面の台紙	パッケージ:	SOT23
高いライト:	nチャネルmosfetのトランジスター、 nチャネルのトランジスター

PBSS5160TへのSOT23プラスチックパッケージPNPの補足物のPBSS4160T NPN低いVCEsatのトランジスター

特徴
•低いcollector-emitterの飽和電圧VCEsat
•高いコレクター流れの機能ICおよびICM
•高性能は、熱生成を減らす
•必要なプリント回路板区域を減らす
•中型力トランジスターBCP55およびBCX55のための費用効果が大きい取り替え。

適用
•主要な適用区分:
–自動車42ボルト力
–電気通信の下部組織
–産業。
•力管理:
– DCにDC転換
–供給ライン切換え。
•周辺運転者
–低い供給電圧の適用の運転者（例えばランプおよびLEDs）
–誘導負荷運転者（例えばリレー、ブザーおよびモーター）。

製造業者	Nexperia USA Inc。
シリーズ	-
包装	テープ及び巻き枠（TR）
部分の状態	活動的
トランジスタータイプ	NPN
現在-コレクター（（最高） IC）	1A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）	60V
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC	250mV @ 100mA、1A
現在-コレクターの締切り（最高）	100nA
DCの現在の利益（hFE）（分） @ IC、Vce	200 @ 500mA、5V
パワー最高	400mW
頻度-転移	220MHz
実用温度	150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
パッケージ/場合	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
製造者装置パッケージ	TO-236AB （SOT23）
基礎部品番号	PBSS4160

在庫の他の電子部品のリスト
部品番号	MFG/BRAND	部品番号	MFG/BRAND
ISP1104W		MPC860DECZQ50D4	FRRESCALE
IRLR2908PBF	IRF	MAX993ESD+T	格言
A64	ST	MAX9120EXK+T	格言
TDA4665		CY7C1360B-166AJXC	CYPRESS
RT9231	RICHTEK	S29GL01GP11FFIR10	SPANSION
PW328-30L	PIXELWO	TPS25200DRVR	チタニウム
PCA9543AD		NQ84010TNB QL85ES	INTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1	ミクロン	YZ98223R02	TDK
LT1110CS8	LT	VLP8040T-680M	TDK
LSI53C1030CO	LSILOGIC	SPHE8202R	SUNPLUS
PKM2510EPIHSLA	エリクソン	IRLU024NPBF	IR
WJLXT384E	コルティナ	ICS307M-02ILFT	ICS
ST4G3235BJR	STM	BD13716S	フェアチャイルド
LP3964EMPX-ADJ/NOPB	チタニウム	BCX55-16E6327	INFINEON
ADG451BR	ADI	TLE42994E	INFINEON
NTUD3169CZT5G		NJM2283M （TE2）	JRC
TG83-1505NUTR	ハロー	BSS138N E6327	INFINEON
RC2010JK-07820RL	YAGEO	AD5314ARMZ-REEL7	ADI
CD4572BE	チタニウム	1632-32.76MHZ	NDK
74LVQ00TTR	STM	SBC560	LITEON