SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2SA1015トランジスター(PNP)を 特徴 Ÿの電力損失 印が付いていること A1015=Deviceコード 固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green.........
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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター(PNP)を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 Ÿの低い流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ.........
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TIP42C NPN PNPのトランジスター両極(BJT)トランジスターPNP 100V 6A 65W 特徴 ■補足PNP-NPNの装置 ■の新しい高められたシリーズ ■の高い切り替え速度 ■のhFEの分かれること ■のhFEによって改善される直線性 適用 ■の一般目的回路 ■のオーディオ・アンプ ......
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補足NPN-PNP力の両極トランジスター これらの補足装置は普及したNJW3281GおよびNJW1302Gの音声出力のの低い電力版トランジスターです。優秀な利益直線性および安全運転区域の性能によって、これらのトランジスターはハイ ファイのオーディオ・アンプの出力段階および他の線形適用にとって理想........
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Vishay IRF740PBF NpnおよびPnpのトランジスター400V 10A力MOSFET 125W 550 MOhms記述Vishayからの第三世代力のMOSFETsは最もよい組合せをデザイナーに与える速い切換え、高耐久化された装置設計、低いオン抵抗および費用効果の。TO-220ABのパッ......
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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin (分) (v) 3 Vin (最高の) (v) 17 Vout (分) (v) 1.8......
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MMDT3946DWはトランジスター(NPN+PNP) SOT-363二倍になります MMDT3946DWは低い電力の拡大のためのNPNおよびPNPのトランジスターSOT 363二倍になります 特徴 補足の組 1 3904タイプNPN 1 3906タイプPNP エピタキシアル平面は構造死にます 低い......
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BD442 PNP力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴 ■PNPのトランジスター 適用 ■線形および転換の産業設備 記述 この装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生じるトランジスターは例.........
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製品の説明 8542.39.0001三極管NPN PNPのトランジスター回路保護TPD2S300YFFR NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPD2S300YFFR ECADモジュール PCB記号、足跡及び3D.........
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 相補型NPN-PNPトランジスタバイポーラディスクリート半導体製品 相補型パワートランジスタ 説明: デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトの平面技術で製造されています。結果として得ら.........
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プロダクト細部 包装大きさ部分の状態時代遅れトランジスター タイプNPN/PNP現在-コレクター((最高) IC)17A電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)180VVceの飽和(最高) @ Ib、IC2V @ 800mA、8A現在-コレクターの締切り(最高)100µA (ICBO)DCの現在の......
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概説 PNPのスイッチング・トランジスタ この装置は100 mAにコレクター流れで非常に高速のために飽和させます切換えを設計されています。 トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター((最高) IC) 200mA 電圧-コ.........
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統合回路IC オリジナルと新品,PZTA94 SOT-223 PNPトランジスタ CJ/Changdian オリジナル [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,RF統合回路.........
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J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 製造者: フェアチャイルド 製品カテゴリー: JFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-92 トランジス.........
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ホット スワップ コントローラーは遮断器が付いているパワー アンプのトランジスターTPS2330IPWRを タイプ: ホット スワップ コントローラー 適用: 一般目的 プログラム可能な特徴: 遮断器、欠.........
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IRFR1018ETRPBF力MOSFETのトランジスターのための製品の説明のリストはここにある: 高性能の切換え:このMOSFETのトランジスターは高性能の転換の適用の使用のために設計され、それを電源および他の電子デバイスの使用にとって理想的にさせる。 低いRDS ():低いオン抵.........
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DC 24VパワーPLCトランジスタモジュール、PLCネガティブコントロールDCアンプボード 1、負荷電圧、電流タイプは異なります 負荷タイプ:トランジスタはDC負荷のみを運ぶことができますが、リレーはAC負荷とDC負荷の両方を持つことができます。 電流:トランジスタ電流0.2A-0.3A、.........
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製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...
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