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SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2SA1015トランジスター（PNP）を
Ÿの電力損失
印が付いていること
A1015=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
hFEのY=Rank、XXX=Code
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| 2SA1015 | TO-92 | 大きさ | 10000 |
| 2SA1015-TA | TO-92 | テープ | 2000年 |
| 記号 | パラグラフのメートル | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -50 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -50 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | -150 | mA |
| PD | コレクターの電力損失 | 400 | MW |
| R0 JA | 上昇温暖気流は接続点からの包囲されたにanceに抵抗します | 312 | Š/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | Š |
| Tstg | Stのorageの温度 | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC= -100ΜA、すなわち=0 | -50 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= -0.1MA、IB=0 | -50 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= -100ΜA、IC=0 | -5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= -50V、すなわち=0 | -0.1 | µA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= -50V、IB=0 | -0.1 | µA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= -5V、IC=0 | -0.1 | µA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE= -6V、IC= -2MA | 70 | 700 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC= -100MA、IB= -10MA | -0.3 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC= -100MA、IB= -10MA | -1.1 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE= -10 V、IC= -1mA f =30MHz | 80 | MHz | ||
| コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=-10V、すなわち=0、f=1MHz | 7 | pF | ||
| 雑音指数 | NF | VCE= -6 V、IC= -0.1mA、f =1kHz、RG=10kK | 6 | dB |
| ランク | O | Y | GR | BL |
| 範囲 | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト
TO-92によって提案されるパッドのレイアウト