power mosfet basics

2SB1316TL力トランジスター低い電力mosfetの切換え力mosfet] 特徴 1) 高いDCの現在の利益のためのダーリントンの関係。 2) 基盤とエミッター間の作り付けの抵抗器。 3) 作り付けのダンパーのダイオード。 4) 2SD2195/2SD1980を補足します。 .........

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高い発電MOSFET FDI045N10AのN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、164A、4.5mΩ 高い発電MOSFET FDI045N10AのN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、164A、4.5mΩ [だれ私達があ.........

IRF840APBF MOSFET 信頼性と効率を向上させる高性能パワー エレクトロニクス FETタイプ Nチャンネル テクノロジー...

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

穴TO-220を通したIRFZ44N Nチャネル力MOSFET 55V 49A 94W 記述 インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs 整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用します ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、 速い切り替え速度と結合され、高耐久化.........

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2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........

IR21094STRPBFの高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一.........

製品範囲 単一電界効果トランジスタAo3401a力MosfetのP-Channel 30v 4a Sot23のFets AO3401Aは優秀なRDS （）、2.5V低い低いゲート充満および操作のゲートの電圧を提供するのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチか他の一般的な適用として使用........

JUYI Tech JY09M Nチャネル増強MOS IC TO-220 70V90A パワーモスフェット * * * * JY09Mの詳細情報を得るために私たちと連絡してください,ありがとう! JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し 低ゲート充電でオン抵抗を削減し.........

穴HiP247を通した1200V MOSFET SCTWA50N120のN-Channelの炭化ケイ素力MOSFET SCTWA50N120の製品の説明 SCTWA50N120炭化ケイ素力MOSFET 1200 V、65 Aの59 mΩ （タイプ。、HiP247™の長い鉛のパッ.........

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

力MOSFETのオリジナルの集積回路IPT020N10N5ATMA1 製品の説明 必要なより少ない平行になること 増加された出力密度 減らされた転換および伝導の損失 製品仕様書 部品番号: IPT020N10N5ATMA.........

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel 製品の説明: 1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET 2. P-channel 20V 9A （Ta）の840mW （Ta）.........

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BAUMULLER BUG20-120-31-B-010の新しいサーボ電源BASICの供給の単位 BUG20-120-31-B-010の指定 記述 BUG20-120-31-B-010はBAUMULLERによって作り出されるサ......