IRF840APBF Mosfet の基本エレクトロニクスによる信頼性と効率の向上
型式番号:IRF840APBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRF840APBF MOSFET 信頼性と効率を向上させる高性能パワー エレクトロニクス
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 850ミリオーム @ 4.8A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 38nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1018 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 125W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
パッケージ・ケース |
パラメーター：
包装: TO-220AB
ピンの数: 3
構成: シングル
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 11A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs: 10 ミリオーム @ 8A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id: 4V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs: 28nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 790pF @ 25V
電力 - 最大: 40W
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ: スルーホール
極性: Nチャンネル
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IRF840APBF Mosfet の基本エレクトロニクスによる信頼性と効率の向上
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