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8 年
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穴TO-220を通したIRFZ44N Nチャネル力MOSFET 55V 49A 94W
記述
インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs
整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用します
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、
速い切り替え速度と結合され、高耐久化される
HEXFET力のMOSFETsがよくあること装置設計
のために知られていて、非常に有効のをデザイナーに与えます
そしていろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
TO-220パッケージはすべてのために一般に好まれます
電力損失の商業産業適用
およそ50ワットへのレベル。
低い上昇温暖気流
TO-220の抵抗そして低いパッケージの費用は貢献します
企業中の広い受諾に。
特徴
l高度の加工技術
l超低いオン抵抗
l動的dv/dtの評価
l 175°Cの実用温度
lは切換え絶食します
評価される十分にlなだれ
製品特質
| FETのタイプ | Nチャネル |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） | 55V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 49A （Tc） |
| 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 17.5のmOhm @ 25A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| 充満（（最高） Qg） @ Vgsをゲートで制御して下さい | 63nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入力キャパシタンス(Ciss) （最高） @ Vds | 1470pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 94W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| 土台のタイプ | 穴を通して |
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| S3C6400XL-53 | サムスン | ICS954226AGLFT | IDT | |
| M24M01-RMN6TP | STM | AD652JPZ-REEL | ADI | |
| BD3533F-E2 | ROHM | XC3S400-4FGG456I | XILINX | |
| M93C66-WMN6TP | ST | SWL-2700S | サムスン | |
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| DS1302S+ | ダラス | TK50A04K3、S5Q （M | 東芝 | |
| SM5921AF | NPC | DAC8568IAPW | チタニウム | |
| MC34018DW | MOTOROLA | BCM53314SB0KPBG | BROADCOM | |
| LM3526MX-H/NOPB | NSC | SPD03N60S5 | INFINEON | |
| DSP56303PV100 | FREESCALE | SAFEA1G57KJ0F00R14 | 村田 | |
| DSA30C100HB | IXYS | B50610C1KMLG | BROADCOM | |
| 74HC4016D | フィリップス | SN9C233BJG | SONIX | |
| MAX1534ETE+ | 格言 | IRF1104PBF | IR | |
| ADR440BRZ | ADI | EP1S20F672C7L | ALTERA | |
| AD2S1210BSTZ | ADI | BR93L66FV-WE2 | ROHM | |