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IRF840APBF MOSFET 信頼性と効率を向上させる高性能パワー エレクトロニクス
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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850ミリオーム @ 4.8A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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38nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±30V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1018 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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125W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ・ケース
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パラメーター：
包装: TO-220AB
ピンの数: 3
構成: シングル
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 11A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs: 10 ミリオーム @ 8A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id: 4V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs: 28nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: 790pF @ 25V
電力 - 最大: 40W
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ: スルーホール
極性: Nチャンネル
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