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Manufacturer from China
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11 年
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アバランシェ定格AEC-Q101、175℃、-40V/-30Vロジックレベル、ハロゲンフリー、高効率電力変換用デュアルPQFNパッケージの超低0.0015ΩパワーMOSFET

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アバランシェ定格AEC-Q101、175℃、-40V/-30Vロジックレベル、ハロゲンフリー、高効率電力変換用デュアルPQFNパッケージの超低0.0015ΩパワーMOSFET

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モデル番号 :IRF7351TRPBF
原産地 :中国
最小注文数量 :1
支払い条件 :T/T、ウエスタンユニオン、
供給能力 :1か月あたり1000pcs
納期 :支払いを受け取ってから3〜5営業日
パッケージングの詳細 :最初に元のトレイに詰められ、次にカートン、最後に外側の梱包用のバブルバッグ
関数 :ステップアップ、ステップダウン
出力構成 :正または否定
トポロジー :バック、ブースト
出力タイプ :調整可能
出力数 :1
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超低電源0.0015Ω MOSFET 二重PQFN AEC-Q101 175°C-40V/-30V論理レベルと高効率の電源変換のためのハロゲンフリー

特徴

超低ゲート阻力

完全に特徴づけられた雪崩の電圧と電流

20V VGS マックス ゲート評価

申請

隔離 DC-DC 変換器のための同期直直す MOSFET

低功率モーター駆動システム

記述

IRF7351TRPBFは,Infineon Technologiesの高性能,ダブルNチャンネルMOSFETであり,コンパクトなPQFN 5x6mmパッケージに統合されています.特別に同期バック変換機および高効率と高電力密度を必要とする他の電力管理アプリケーションのために設計されています.

情報

カテゴリー
製造者
インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ
パッケージ
テープandロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
部品のステータス
アクティブ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
構成
2 Nチャンネル (ダブル)
FET 特徴
ロジックレベルゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C
8A
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs
17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
4V @ 50μA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs
36nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1330pF @ 30V
パワー - マックス
2W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
マウントタイプ
表面マウント
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154",3.90mm 幅)
供給者のデバイスパッケージ
8-SO
基本製品番号

図面

アバランシェ定格AEC-Q101、175℃、-40V/-30Vロジックレベル、ハロゲンフリー、高効率電力変換用デュアルPQFNパッケージの超低0.0015ΩパワーMOSFET

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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部品の種類をすべて満たすようにしてください.やってみろ


製品リスト
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提案は以下の通りです
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強いブランド:
マイクロチップ,MAX,AD,TI,ATMEL,ST,ON,NS,インターシル,ウィンボンド,ヴィシェイ,ISSI,インフィニオン,NEC,フェアチャイルド,オムロン,YAGEO,TDKなど

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