穴Nチャネル力Mosfet 55V 49A 94W TO-220 ROHS IRFZ44NPBF IRFZ44Nを通して

型式番号:IRFZ44NPBF
原産地:中国
最低順序量:50pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所: C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

穴TO-220を通したIRFZ44N Nチャネル力MOSFET 55V 49A 94W

記述

インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs

整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用します

ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、

速い切り替え速度と結合され、高耐久化される

HEXFET力のMOSFETsがよくあること装置設計

のために知られていて、非常に有効のをデザイナーに与えます

そしていろいろ適用の使用のための信頼できる装置。

TO-220パッケージはすべてのために一般に好まれます

電力損失の商業産業適用

およそ50ワットへのレベル。

低い上昇温暖気流

TO-220の抵抗そして低いパッケージの費用は貢献します

企業中の広い受諾に。

特徴

l高度の加工技術

l超低いオン抵抗

l動的dv/dtの評価

l 175°Cの実用温度

lは切換え絶食します

評価される十分にlなだれ


製品特質

FETのタイプNチャネル
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させて下さいに源の電圧(Vdss)55V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C49A (Tc)
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを)10V
(最高) @ ID、VgsのRds17.5のmOhm @ 25A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID4V @ 250µA
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい63nC @ 10V
Vgs (最高)±20V
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds1470pF @ 25V
FETの特徴-
電力損失(最高)94W (Tc)
実用温度-55°C | 175°C (TJ)
土台のタイプ穴を通して
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穴Nチャネル力Mosfet 55V 49A 94W TO-220 ROHS IRFZ44NPBF IRFZ44Nを通して

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