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APT10090BLL マイクロチップ技術 MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケー.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........

QX5252F高い現在の力mosfet一般目的mosfet力mosfet IC...

高い発電MOSFET NVTYS002N03CL MOSFET力単一Nのチャネル [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、未使用.........

低電圧MOSFET 連続および並列構成の両方で同期直直しのための溝プロセス利点 製品説明: 低電圧MOSFETは低電圧フィールド効果トランジスタで,低しきい電圧と高効率により多くのアプリケーションで広く使用されています.自動車運転手にとって信頼性とコスト効率の良い解決策です5Gベースステーション........

棒TIG MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALの溶接工携帯用制御AC/DC MosfetインバーターMosfet携帯用TIG機械溶接装置プロダクト利点 1. DCインバーター ティグ溶接機械。2. DC TIG/MMAの溶接機能は、1台の機械二重目的を機能する。3. PWM制御技術を、一.......

自動車用IGBTモジュール CAB016M12FM3T モスフェット配列 モスフェット 78Aトランジスタモジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度9.........

HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS （）、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS （MAX）の評価。この装置は単方向.........

プロダクト細部 包装管部分の状態ない新しい設計のためにFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）60V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C50A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V（最高） @ ID、VgsのRds22......

FDMS86181 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V/20V N-Chnl力の堀MOSFET 特徴 保護されたゲートMOSFETの技術 MaxrDS （） =4.2mΩat VGS =10V、ID =44A MaxrDS （） =12mΩat VGS =6.........

新品とオリジナル 集積回路ICチップ 電子部品 [Wh はo そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,RF統合回路を含む電子部品の主要販売業者であり,航空宇宙,軍事,医療,自動車,消費電子機器製.........

IRFP2907PBF パワー エレクトロニクス アプリケーション向け高性能 N チャネル MOSFET IRFP2907PBF MOSFET この MOSFET は、ドレイン-ソース間電圧 100V、ドレイン電流 19A の.........

NチャネルシリコンカービッドMOSFET 低熱分散要求 製品説明: シリコンカービッドMOSFETは,従来のMOSFETと比較して優れた性能を提供する画期的な技術です.このMOSFETは,より速い切り替え速度とより低い導電損失を提供します.効率が向上するこれは,高効率と信頼性を要求するバッテリー........

インバーターMosfetの単一フェーズの溶接機200Aアークのポータブル 23N50E Mosfetの溶接工が付いている従来のインバーターMosfetの溶接機ARC-200 Mosfet MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALの溶接機の製品特性: 1. 従来のMosfetイン.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

IRFM250 パワー MOSFET パワーモスフェット (TO-254AA) 製品概要 部品番号 RDS (オン) ID IRFM250 0.100 Ω 27.4A IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 REF:MIL-PRF-19500/592 200V,Nチャネルヘ......

IRFP250N力MOSFET高圧および高い現在の適用のための完全な解決 あなたの次の電子プロジェクトのための信頼できるMOSFETを捜しているか。IRFP250N力MOSFETよりそれ以上に見てはいけない。このMOSFETはそれに高圧および高い現在の適用のための完全な解決をする利点の多くに.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

移動式無線の使用135-175MHz 30W 12.5VのためのRA30H1317M力Mosfetのトランジスター 記述 RA30H1317Mは- 175 MHz範囲へ… 135で作動する12.5ボルトの移動式ラジオのための30ワットRF MOSFETのアンプ モジュールです。電池は強化モー......

INFINEON チップ BSC220N20NSFD MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET パッケージ: リール ブランド: インフィニオン・テクノロジーズ 製品タイプ: MOSFET サブカテ.........