Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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移動式ラジオ135-175MHz 30W 12.5VのためのRA30H1317M Mosfet力トランジスター

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省/州:guangdong
国/地域:china
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移動式ラジオ135-175MHz 30W 12.5VのためのRA30H1317M Mosfet力トランジスター

最新の価格を尋ねる
型式番号 :RA30H1317M
原産地 :JP
最低順序量 :1 部分
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :1 年ごとの 10000 部分
受渡し時間 :1-2 営業日
包装の細部 :工場標準的なパッキング
条件 :100%の真新しいプロダクト
部分の状態 :アクティブ
パッケージ :H2S
無鉛状態/RoHS の状態 :迎合的
出力パワー :30ワット
電圧 :12.5V
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移動式無線の使用135-175MHz 30W 12.5VのためのRA30H1317M力Mosfetのトランジスター

 

記述

 

RA30H1317Mは- 175 MHz範囲へ… 135で作動する12.5ボルトの移動式ラジオのための30ワットRF MOSFETのアンプ モジュールである。電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができる。ゲートの電圧(VGG=0V下水管およびRFの入力信号への小さい漏出現在の流れだけが60までdBを減少させる、)なし。出力電力および現在の増加をゲートの電圧増加として流出させるため。大幅に3.5Vの(最低)、出力電力および下水管の現在の増加のまわりのゲートの電圧を使って。わずかな出力電力は4V (典型的な)および5Vで利用できるようになる(最高)。VGG=5Vで、典型的なゲートの流れは1 mAである。このモジュールは非線形FM調節のために設計されていたり、また線形調節にゲートの電圧の下水管の静止流れを置き、入力パワーとの出力電力を制御することによって使用するかもしれない。

 

特徴

1の強化モードMOSFETのトランジスター(IDD@0 @ VDD=12.5V、VGG=0V)•Pout>30W、hT>40% @ VDD=12.5V、VGG=5V、Pin=50mW

2の広帯域周波数範囲:135-175MHz

3のVGG=5Vのローパワー制御現在のIGG=1mA (タイプ)

4のモジュールのサイズ:66 x 21 X 9.88 mm

5つの線形操作は静止下水管をゲートの電圧と現在置くことおよび入力パワーとの出力電力を制御することによって可能である

 

 

在庫の他の電子部品のリスト
部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND
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S29AL004D70BFI020 SPANSION   74F02SJX フェアチャイルド
MIC5200-33BM MITSUBIS   W89C940F WINBOND

移動式ラジオ135-175MHz 30W 12.5VのためのRA30H1317M Mosfet力トランジスター 

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