p モスフェット

あなたの適用のためのIRFP460APBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の信頼性 このIRFP460APBF MOSFETは高性能、低価格、力MOSFETである。それは低境界の電圧およびhigh-current機能を特色にする。このMOSFETにそれを転換.........

多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-利用できる無料のデバイス Mosfet力トランジスター記述 力MOSFETはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うためにです。それは高い.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

APT10090BLL マイクロチップ技術 MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケー.........

移動式無線の使用135-175MHz 30W 12.5VのためのRA30H1317M力Mosfetのトランジスター 記述 RA30H1317Mは- 175 MHz範囲へ… 135で作動する12.5ボルトの移動式ラジオのための30ワットRF MOSFETのアンプ モジュールです。電池は強化モー......

HEXFETパワーMOSFETトランジスタ、パワーMOSFETモジュールIRF7329 トレンチ技術 超低オン抵抗 デュアルPチャネルMOSFET ロープロファイル（<1.8ミリメートル） テープ＆リールで利用可能 無鉛の 説明 インターナショナル.........

高い発電MOSFET FDI150N10のN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、57A、16mΩ 高い発電MOSFET FDI150N10のN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、57A、16mΩ 高い発電MOSFET.........

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インバーターMosfetの単一フェーズの溶接機200Aアークのポータブル 23N50E Mosfetの溶接工が付いている従来のインバーターMosfetの溶接機ARC-200 Mosfet MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALの溶接機の製品特性: 1. 従来のMosfetイン.........

NTD18N06LT4G Chipscomponentの電子部品ICの破片 NTD18N06LT4Gの高い発電MOSFETの電子破片真新しい元のTO-252-2 （DPAK） MOSFET 60V 18AのN-Channel 部門 集積回路（IC）.........

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SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V （D-S） MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバーター ......

携帯用三相Mosfetの溶接機250Amp 280Amp 315Amp JONE携帯用maquina de soldaのinversoraアーク溶接機315のampsのmosfetインバーター 溶接工はラジエーター、三相非同期モーターおよびインバーターが装備されている。 閉じたループのフィードバック......

製品の説明 技術MOSFET 電圧650Vタイプの取付け穴を通してパッケージTO-220F YonlandaSkype: qyt-yolanda1電子メール: yonlandasong （で） quanyuantong.net.........

有効な電子工学のための強力なFQPF15N60C MOSFETFQPF15N60C MOSFETとのあなたの装置性能を最大限に活用しなさい あなたの次の電子工学のプロジェクトのための高性能MOSFETを捜しているか。FQPF15N60C MOSFETよりそれ以上に見てはいけない! こ.........

FDMS86181 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V/20V N-Chnl力の堀MOSFET 特徴 保護されたゲートMOSFETの技術 MaxrDS （） =4.2mΩat VGS =10V、ID =44A MaxrDS （） =12mΩat VGS =6.........

NTMFS4833NT1G MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN mosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. NTMFS4833NT1G分野効果の管、MOSFETのNチャネル、30V、191A、DFN5 Nチャネル力MOSFET、30V2. NT.........