多機能Mosfet力トランジスターハロゲン-利用できる無料のデバイス

型式番号:G080NH03LA1C1

原産地:深セン中国

最低順序量:ネゴシエーション

支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン

供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/

受渡し時間:1 - 2 週

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

正会員

Shenzhen Guangdong China

住所：部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

多機能Mosfet力トランジスターハロゲン-利用できる無料のデバイス

Mosfet力トランジスター記述

力MOSFETはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うためにです。それは高い切り替え速度を示し、正常なMOSFETによって比較によって、力MOSFETはよりよく働きます。力のMOSFETsはnチャネルの強化モード、pチャネルの強化モードで、そしてnチャネルの枯渇モードの本質上広く利用されています。ここに私達はNチャネル力MOSFETについて説明しました。力MOSFETの設計はCMOSの技術の使用によってなされ、集積回路の製造の開発のために70年代でも使用されました。

Mosfet力トランジスター特徴

Q1 Q2
V DS 30V 30V
ID （V GS = 10V） 24A 36A
@V RのDSの（）（typ） GS = 10V 14.3氏7.3氏
@V RのDSの（）（typ） GS = 4.5V 18.8氏10.1の氏

テストされる100%のなだれ
信頼でき、険しい
利用できるハロゲン無料のデバイス

Mosfet力トランジスター塗布

同期整流器
無線力
H橋モータードライブ

命令し、示す情報

C1
G080NH03

パッケージコード
C1:DFN3*3-8L
日付コード

注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットのブリキ板Termi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義します
自由な無鉛（迎合的なRoHS）およびハロゲンを意味する「緑」（BrかCLは重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しません）。
HUAYIはこのprへの変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保します
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

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