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p channel mosfet switch circuit

1 - 20 の結果 p channel mosfet switch circuit から 81 製品

IRFP260N NチャネルMOSFET 200V 50A 300WスルーホールTO-247AC 特徴 先端プロセス技術 ダイナミックdv / dt定格 175°C動作温度 高速スイッチング 完全アバランシェ評価 並列処理のしやすさ シンプルドライブの要件TO-247AC 無鉛の FETタイプ Nチ......

Time : Nov,03,2023
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コンパクトな低抵抗高電圧 MOSFET 切り替え回路 製品説明: この高電圧MOSFETの重要な特徴の1つは,高電圧レベルに対応する能力です.これは,電気機械,溶接機械,高電圧レベルが一般的である実用的なインバーター.MOSFETは最新の技術を使って 信頼性と効率性を確保しています MOSFET........

Time : Mar,31,2025
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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

Time : Apr,21,2025
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ISO9001.pdf IPD082N10N3はNチャネルMOSFETトランジスタである.その用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:高電圧と高電力の負荷スイッチとして使用変換器と調節器のスイッチとして使用される結論は高電圧対応:Vds=100V低導電抵抗:Rds (オン) =8.2m........

Time : Jun,22,2025
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多目的なIRF3205 MOSFETのトランジスターを発見しなさいIRF3205 MOSFETのトランジスターが付いているあなたの電子回路を革命化しなさい IRF3205は高い発電の切換えが要求される電子回路で一般的の強力な、信頼できるN-channel MOSFETのトランジスターである。.........

Time : Nov,30,2024
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NチャネルのMOSFETsのトランジスターIPBE65R115CFD7A集積回路の破片650V TO-263-8 IPBE65R115CFD7Aの製品の説明 IPBE65R115CFD7A 650VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターは、パッケージTO-263-.........

Time : Apr,21,2025
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HEXFETパワーMOSFET T ♦超低オン抵抗 ♦PチャネルMOSFET ♦SOT-23フットプリント ♦ロープロファイル(<1.1ミリメートル) ♦テープ&リールで利用可能 ♦高速スイッチング インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMO.........

Time : May,30,2024
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IRFM250 パワー MOSFET パワーモスフェット (TO-254AA) 製品概要 部品番号 RDS (オン) ID IRFM250 0.100 Ω 27.4A IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 REF:MIL-PRF-19500/592 200V,Nチャネルヘ......

Time : Dec,07,2024
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新しく、元のIRLML6401 N-Channel MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF プロダクト 記述: MOSFET;力;P CH;VDSS -12V;RDS () 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V......

Time : Nov,24,2024
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HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS ()、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS (MAX)の評価。この装置は単方向.........

Time : May,30,2024
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IRLML5203TRPBF Infineon/IR MOSFET MOSFT P CH -30V -3A 98mOhm 9.5nCの丸太Lvl 1.超低いオン抵抗P-Channel MOSFET表面の台紙テープ及び巻き枠で利用できる低いゲート充満無鉛迎合的なRoHSハロゲンなし.........

Time : Dec,09,2024
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集積回路IC オリジナルと新品 CJ2301 SOT-23 Pチャネル MOSFET 2.3A20V CJチャンジング オリジナル [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,.........

Time : Jun,06,2025
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製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........

Time : Dec,26,2024
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SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET 推奨されるアルト 製品属性 属性値 製造者: ヴィシェイ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: パワーパック1.........

Time : Apr,24,2025
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FDD4243 MOSFET 40V Pチャネル PowerTrench MOSFET 集積回路 IC ON 製品説明 部品番号 # FDD4243 は、ON Technologies によって製造され、Jalixin によって販売されています。電子製品の大手販売代.........

Time : Nov,26,2024
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STマイクロエレクトロニクス STH315N10F7-6 100V 60A 315W NチャネルH2PAK-6のMOSFETs 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリス......

Time : Nov,29,2024
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IRFP150NPBF TO-247 42A 100VのN-channel MOSFETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片 製品の説明 部品番号IRFP150NPBFはIRFP150NPBFによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1.........

Time : Dec,13,2024
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製品名: FQA11N90F109速い細部: FQA11N90F109は11Aの最高の下水管の流れおよび0.109オームの低いオン州の抵抗の900V N-channel MOSFETである。指定: 最高の電圧評価:900V 最高の下水管の流れ:11A オン州の抵抗:0.........

Time : Nov,27,2024
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ZXKC-H 高電圧スイッチ ダイナミック特性テスト 製品導入 ZXKC-H 高電圧スイッチ ダイナミック特性テスト特別に開発され製造され,オイルスイッチ,真空スイッチ,SF6スイッチなどの様々な高電圧スイッチのダイナミック性能を試験する.4インチカラーディスプレイ窓システム,使いやすいインターフェ......

Time : Jun,30,2025
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AP2171DM8G-13 AP2171D1A出力放電付きシングルPチャネルパワースイッチIC-8-TSSOPPMICチップ 強化されたシングルチャネル電源スイッチICPWR SWITCH P-CHAN 1:1 8MSOP仕様 :部品番号AP2171DM8G-13カテゴリー集積回路(IC).........

Time : Nov,26,2024
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