pチャネルモスフェットソット-23

HEXFETパワーMOSFET T ♦超低オン抵抗 ♦PチャネルMOSFET ♦SOT-23フットプリント ♦ロープロファイル（<1.1ミリメートル） ♦テープ＆リールで利用可能 ♦高速スイッチング インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMO.........

か。か。か。か。か。か。HEXFETか。力MOSFET T *超低いオン抵抗 * P-Channel MOSFET * SOT-23足跡 *控え...

BSS306NH6327XTSA1 MOSFET パワー エレクトロニクス OptiMOS™2 小信号トランジスタ N チャネル パッケージ SOT-23 FETタイプ Nチャンネル......

TPS2051BDBVR PMICの電源スイッチ/運転者の1:1 Nチャネル500mA SOT-23-5 タイプを転換して下さい 一般目的 出力の数 1 比率-入力:出力 1:1 出力環境設定 高い側面 出力タイプ Nチャネル インターフェイス オン/オフ 電圧-負荷 2.7V | 5.5V 電圧-......

L2N7002LT1G LRCの電子ダイオードおよびトランジスターN-Channel 60V SOT-23...

製品パラメータ TI/テキサス・インストルメント 半導体 集積回路 電子部品 チップTPS22917DBVR Mfr TI/テキサス・インストルメント・テクノロジー 製造者 製品番号 TPS2291.........

NTR1P02LT1G MOSFET -20V -1.3A Pチャネル 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタの偏性: P.........

元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 （SOT-23-3） LN2306LT1G プロダクト 記述: 1. TRANS MOSFET N-CH 30V 5.8A 3 Pin SOT-23 T/R 2.ダイオードおよび整流器のN-channel 30V 5.8A.........

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V （D-S） MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバーター ......

SQ2361AEESの自動車P-Channel 60 V （D-S） 175の°C MOSFET SOT-23 特徴 •IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし •TrenchFET®力MOSFET •AEC-Q101 Qualifiedc •100% RgおよびU.........

8205A SOT-23-6LはMOSFETS二重NチャネルMOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1、D2...

8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1...

MOSFET N CH 100V 190mA SOT-23-3 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: Infineon 製品カテゴリ: MOSFET...

NDS331N 20V NチャネルMOSFET 1.6A連続0.25Ω Rds ((オン) SOT-23 1.8V論理レベル -55°Cから+150°C 特徴 1.3A 20V RDS (オン) = 0.21 @ VGS = 2.7 V RDS (オン) = 0.16 @ VGS = 4.5 V........

ZXMN10A07FTAのN-Channel 100 V 700mA 625mWの表面の台紙SOT-23-3 ダイオード ショットキー100つのV 1Aの表面の台紙SMBの単一の整流器ダイオードMBRS1100T3G 製品の説明 このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていた（.........

インフィニオン・テクノロジーズBSS138NH6327 NチャネルSOT-23 MOSFET 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリスタが含まれている。分離した半導体製......

DMN26D0UT-7 DMN26のダイオードのN-Channel mosfetの表面の台紙SOT-523 N-Channel 20 V 230mA （Ta）の300mW （Ta）表面の台紙SOT-523 指定:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523.........

2N7002-7-F N-Channel 60 V 115mA （Ta）の370mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3記述このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていた（）最小にするように）を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。 適用......

ICの集積回路LM74700QDBVRQ1 SOT-23-6のホット スワップ電圧コントローラー 製品の説明: LM74700-Q1はQ100が20 mV前方電圧低下の低損失の逆の極性の保護のための理想的なダイオード整流器として外的なN-channel MOSFETと共に作動させる理想的な.........