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pチャネルモスフェットソット-23

1 - 20 の結果 pチャネルモスフェットソット-23 から 27 製品

HEXFETパワーMOSFET T ♦超低オン抵抗 ♦PチャネルMOSFET ♦SOT-23フットプリント ♦ロープロファイル(<1.1ミリメートル) ♦テープ&リールで利用可能 ♦高速スイッチング インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMO.........

Time : May,30,2024
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か。か。か。か。か。か。HEXFETか。力MOSFET T *超低いオン抵抗 * P-Channel MOSFET * SOT-23足跡 *控え...

Time : Dec,01,2024
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BSS306NH6327XTSA1 MOSFET パワー エレクトロニクス OptiMOS™2 小信号トランジスタ N チャネル パッケージ SOT-23 FETタイプ Nチャンネル......

Time : Nov,30,2024
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NTR1P02LT1G MOSFET -20V -1.3A Pチャネル 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタの偏性: P.........

Time : Mar,31,2025
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元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 (SOT-23-3) LN2306LT1G プロダクト 記述: 1. TRANS MOSFET N-CH 30V 5.8A 3 Pin SOT-23 T/R 2.ダイオードおよび整流器のN-channel 30V 5.8A.........

Time : Nov,24,2024
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SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバーター ......

Time : Sep,11,2023
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SQ2361AEESの自動車P-Channel 60 V (D-S) 175の°C MOSFET SOT-23 特徴 •IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし •TrenchFET®力MOSFET •AEC-Q101 Qualifiedc •100% RgおよびU.........

Time : May,30,2024
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8205A SOT-23-6LはMOSFETS二重NチャネルMOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1、D2...

Time : May,30,2024
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8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1...

Time : May,30,2024
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高い発電MOSFET BSS123L力MOSFET 170 mA、100ボルトのN-Channel SOT-23 [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客の.........

Time : Nov,24,2024
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MOSFET N CH 100V 190mA SOT-23-3 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: Infineon 製品カテゴリ: MOSFET...

Time : Nov,30,2024
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集積回路IC オリジナルと新品 CJ2301 SOT-23 Pチャネル MOSFET 2.3A20V CJチャンジング オリジナル [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,.........

Time : Sep,08,2024
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ZXMN10A07FTAのN-Channel 100 V 700mA 625mWの表面の台紙SOT-23-3 ダイオード ショットキー100つのV 1Aの表面の台紙SMBの単一の整流器ダイオードMBRS1100T3G 製品の説明 このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されていた(.........

Time : Dec,13,2024
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インフィニオン・テクノロジーズBSS138NH6327 NチャネルSOT-23 MOSFET 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリスタが含まれている。分離した半導体製......

Time : Nov,29,2024
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2N7002-7-F N-Channel 60 V 115mA (Ta)の370mW (Ta)表面の台紙SOT-23-3記述このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されていた()最小にするように)を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。 適用......

Time : Nov,25,2024
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ICの集積回路LM74700QDBVRQ1 SOT-23-6のホット スワップ電圧コントローラー 製品の説明: LM74700-Q1はQ100が20 mV前方電圧低下の低損失の逆の極性の保護のための理想的なダイオード整流器として外的なN-channel MOSFETと共に作動させる理想的な.........

Time : Dec,09,2024
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プロダクト細部 包装切りなさいテープ(CT)を部分の状態活動的FETのタイプN-Channel技術MOSFET (金属酸化物)流出させなさいに源の電圧(Vdss)60V現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C115mA (Ta)ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)5V、10V(最高) @.........

Time : Dec,02,2024
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1200V炭化ケイ素MSC017SMA120JのN-Channel力MOSFETモジュールSOT-227-4 MSC017SMA120Jの製品の説明 MSC017SMA120Jは炭化ケイ素のN-Channel力MOSFET、1200V、SOT-227パッケージの17mΩ SiC MOSFE.........

Time : Nov,29,2024
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