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製品の説明
このMOSFETはオン州の抵抗(RDS設計されていた()最小にするように)を今までのところではそれを作る優秀な転換の性能を維持するため
高性能力管理適用のための理想。
プロダクト特性
プロダクト状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 100ボルト |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 700mA (Ta) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 6V、10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 700mOhm @ 1.5A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 2.9 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 138 pF @ 50ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 625mW (Ta) |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | SOT-23-3 |
パッケージ/場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
基礎プロダクト数 | ZXMN10 |