部門	分離した半導体製品単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr	組み込まれるダイオード
シリーズ	-
FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	60ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	115mA （Ta）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	5V、10V
（最高） @ ID、VgsのRds	7.5Ohm @ 50mA、5V
Vgs （（最高） Th） @ ID	2.5V @ 250µA
Vgs （最高）	±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	50 pF @ 25ボルト
FETの特徴	-
電力損失（最高）	370mW （Ta）
実用温度	-55°C \| 150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
製造者装置パッケージ	SOT-23-3
パッケージ/場合	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

2N7002-7-F N-Channel 60 V 115mA （Ta）の370mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3

集積回路チップ

集積回路IC

アルミ電解コンデンサ

フラッシュ・メモリIC

すくいのコネクター

集積回路センサー

分離した半導体

光電子工学プロダクト

電源IC

回路保護IC

集積回路の貯蔵

受動ICの部品

ポール モジュール

水晶IC

コントローラーICの破片

2N7002-7-F N-Channel 60 V 115mA （Ta）の370mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3

2N7002-7-F N-Channel 60 V 115mA （Ta）の370mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3

記述

このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていた（）最小にするように）を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。

適用

の運動制御

は管理機能に動力を与える

特徴

の低いオン抵抗

の低いゲートの境界の電圧

の低い入れられたキャパシタンス

の速い切り替え速度

の小さい表面の台紙のパッケージ

無鉛迎合的な全く及び十分にRoHS

自由なのハロゲンおよびアンチモン。「緑の」装置

は高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾した

機械データ

の場合:SOT23

の場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合物。94V-0を評価するULの燃焼性の分類

の湿気感受性:J-STD-020ごとの水平に1

ターミナル:無光沢の錫の終わりは合金42のleadframe （無鉛めっき）にアニールした。MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable

のターミナル コネクション:図表を見なさい

の重量:0.008グラム（おおよそ）

原物

私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。

価格

私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。

トランザクション

コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。

納入サイクル

同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。

輸送

私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。

包装

あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。

rj 45 panel mount

surface mount diode identification

eq-3 mount

ポールモジュール

のターミナルコネクション:図表を見なさい