SSM3K361R,LF Nチャネル 20V 3A MOSFET、超低40mΩ RDS(on) SOT-23パッケージ、高電力密度、優れた効率、高速スイッチング、コンパクト設計向けロジックレベル制御

SSM3K361R,LF Nチャネル 20V 3A MOSFET 超低 40mΩ RDS (オン) SOT-23 パッケージ 高電力密度 高効率 急速なスイッチとコンパクトなデザインのための論理レベル制御

特徴 

AEC-Q101合格 (注文可能な部品番号リストを参照してください)

175°C MOSFET

4.5Vドライブ

低排水源の電源抵抗:

RDS ((ON) = 65 mΩ (典型) (@VGS = 4.5 V)

RDS ((ON) = 51 mΩ (典型) (@VGS = 10 V)

申請

• 電力 管理 スイッチ

• DC-DC 変換機

記述

SSM3K361R,LFNチャネル強化モードフィールド効果トランジスタ (MOSFET) で,コンパクトなSOT-23表面マウントパッケージに設計されている.それは最小のボードスペースで高効率と電力密度を提供するために設計されています携帯や空間が限られた電子機器の幅広い電力管理およびスイッチングアプリケーションに理想的なソリューションです

情報

図面

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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製品リスト
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