nチャネルモスフェットトランジスタ

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETトランジスタ200V 18A（Tc）150W（Tc）表面実装D2PAK 先端プロセス技術 ダイナミックdv / dt定格175℃動作温度 ファストスイッチング完全雪崩評価 並列化の容易さ シンプルなドライブ要件 説明 インターナショナ.........

FDMS6681Z MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFNオリジナルMosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. フェアチャイルドの半導体FDMS6681Zのトランジスター、MOSFETのP-channel、-49A、-30V.........

NチャネルのMOSFETsのトランジスターIPBE65R115CFD7A集積回路の破片650V TO-263-8 IPBE65R115CFD7Aの製品の説明 IPBE65R115CFD7A 650VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターは、パッケージTO-263-.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

高性能N-channel MOSFETFQPF10N65C -すべてのあなたの力の必要性のための最終的なMOSFET FQPF10N65Cを導入する、心の極度な効率そして信頼性と設計されている強力なN-channel MOSFET。この高性能MOSFETはそれにあなたの力の必要性のための最終.........

ISO9001.pdf 適用:IPD80R1K4P7は高性能DC-DCのコンバーターおよび電源の塗布で一般的なN-channel MOSFETのトランジスターである。それは低電圧で作動でき、低電圧の適用でそれを使用のために非常に適したようにする低い抵抗および高い切り替え速度がある。結論:IPD80.......

製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

D1028UK RF MOSFET トランジスタ RF MOSFET N-CH 70V 30A 5ピンケース DR 製造者: TT電子 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流:.........

SI2301CDS -T1 - E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V （D-S） MOSFETPチャネル20-V （D-S） MOSFET 特徴 •利用できるハロゲンなしの選択 •TrenchFET®力MOSFET 適用 •負荷スイッチ .........

製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

平面Nチャネル高電力MOSFET 表面マウント 工業モスフェットトランジスタ 製品説明: 高功率MOSFETは -55°Cから+175°Cの 幅広い温度範囲で動作するように設計されており 極端な環境でも使用できますN型構成で最適性能を保証する効率性と信頼性が高い. 設計者やエンジニアが 信頼性と........

MOSFET FDG6321C チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET SC70-6 COMP NP-CH 製品特性 メーカー： オンセミ......

8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1...

BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するためにはバルク包装によっ.........

BF 999 E6327 RF MOSFETのトランジスター ケイ素のN-Channel MOSFETの三極管 1.Silicon N-Channel MOSFETの三極管 高周波段階のためできれば300までのMHz FMの適用で•Pbなしの（迎合的なRoHS） package1） .........

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熱いMosfetのトランジスターSak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s電子工学の部品 MOSFET （金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター）は転換装置として電子回路で一般的のタイプのトランジスターである。.........

STマイクロエレクトロニクス STH315N10F7-6 100V 60A 315W NチャネルH2PAK-6のMOSFETs 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリス......

NTA4153NT1G IC 電子部品 小信号 MOSFET トランジスタ 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号NTA4153NT1G製造されたものオン電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を運んでいます..........