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4 年
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MOSFET FDG6321C チップ ダイオード トランジスタ集積回路
製品説明
MOSFET SC70-6 COMP NP-CH
製品特性
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | シ |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-323-6 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル、Pチャンネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 25V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 500mA、410mA |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 450ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -8V、+8V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1.5V |
| Qg - ゲートチャージ: | 1.64nC、1.1nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 300mW |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成： | デュアル |
| 落下時間: | 8.5ns、8ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 1.45秒、0.9秒 |
| 身長： | 1.1mm |
| 長さ： | 2mm |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 8.5ns、8ns |
| シリーズ： | FDG6321C |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル、1 P チャネル |
| タイプ： | FET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 17ns、55ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 3ns、7ns |
| 幅： | 1.25mm |
| パーツ # エイリアス: | FDG6321C_NL |
| 単位重量: | 0.000988オンス |
よくある質問
1.私たちは誰ですか？
JIALIXIN は 2010 年に設立され、BOM キッティング サービスを提供する 10 年の経験を含む、電子部品を供給する 12 年の経験があります。
2.どのように品質を保証できますか?
当社には特別なQC部門があり、テストする専門の試験機があります。お客様の写真を撮影し、発送前に書類をお客様にお送りします。私たちの商品はすべて代理店または元のソースであり、出荷前にチェックされます。
3.BOMリストサービスはありますか?
はい、ご連絡ください。BOMを送ってください。BOMキッティングサービスを提供するJIALIXIN 10年の経験。
4. 他のサプライヤーからではなく、当社から購入する必要があるのはなぜですか?
1）スポットアドバンテージ、緊急に必要な材料のニーズを満たすことができる倉庫があります。
2) 代理店の利点、私たちは認定代理店と協力します。長期的に要求される材料については、アプリケーションの目標価格を送信してください。代理店と交渉して注文を手配できます。