モスフェット vds

CUS08F30 1申請について • 高速 切り替える 2特徴 (1) 前向きの低電圧:VF(3) =0.40V (典型) (2) 一般用USCパッケージ,SOD-323とSC-76パッケージに相当する. 3包装と内部回路 タイプ 記述 すべてを選択する カテゴリー.........

プロダクト:IRFH5210TRPBF MOSFET 記述:このMOSFETは低いRDS （）、速い切換えおよび低いゲート充満を特色にする高圧N-channel MOSFETである。および高温適用、高く現在の高圧に抗することを設計する。 変数: - 下.........

トランジスター、耐久の高いAmpのトランジスターを使用するAP6H03S Mosfetの運転者 トランジスター記述を使用するMosfetの運転者: AP6H03Susesの高度の堀優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかも.........

SI7461DP-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 特徴 TrenchFET®力のMOSFETs 物質的な類別: 承諾の定義のためにwww.vishay.com/......

TPC8111電界効果トランジスタのケイ素PチャネルMOSのタイプHEXFET力MOSFET リチウム イオン電池の塗布 ノートのPCの塗布 携帯用装置の塗布 •小さく、薄いパッケージによる小さい足跡 •抵抗の低い下水管源:RDSの（） = 8.1 mΩ （typ。）.........

BSS138KのN-Channelの強化モード力MOSFET 特徴 1. VDS = 50VのID = 0.22A RDS （） < 3=""> ESDの評価:HBM 2300V2.高い発電および現在の渡す機能3.無鉛プロダクトは得られる4.表面の台紙.........

FDC608PZ MOSFET -20V Pチャネル 2.5V パワートランチ MOSFET 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOT-6 トラン.........

MOSFET 20V Vds 12V Vgs SC70-6 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: Vishay 製品カテゴリ: MOSFET...

製品の説明プロダクト細部 包装大きさ 部分の状態時代遅れ FETのタイプP-Channel 電圧-故障（V （BR） GSS）20V 現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）300µA @ 10V 電圧-締切り（VGS） @ ID8V @ 10µA 入れられたキャパシタンス（（最高）........

電気通信および産業使用のためのトランジスターIRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A力MOSFET IRLR7843PbF IRLU7843PbF 記述 非絶縁DC/DCのコンバーターのための力MOSFETの選択 .........

SI4840BDY-T1-GE3 SMD/SMT MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 MouseReel 特徴 •TrenchFET®力MOSFET •100% RgおよびUISはテストした 製品カテゴリ: MOSFET......

NVMTS1D2N08H 80V 337A 1.1mOhms DFNW-8 AEC-Q101 NチャネルMOSFET 特徴 • コンパクトなデザインのための小さな足跡 (8x8mm)• 低RDS (オン) で導電損失を最小限に抑える• 低QG と 運転手 の 損失 を 最低 に 減らす 能力• AE......

DMN26D0UFB4-7 ダイオード MOSFET 強化モード MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 DMN26D0UFB4-7B 製造者:ダイオード株式会社製品カテゴリ:MOSFETテクノロジー: Si設置スタイル:SMD/SMTパッケージ/箱:X2-DFN100.........

1200V SiCの堀MOSFET IMBG120R045M1HのN-Channel MOSFETのトランジスターTO-263-8 IMBG120R045M1Hの製品の説明 IMBG120R045M1Hは.XTの相互連結の技術のCoolSiC™ 1200V SiCの堀MOSFETである。.........

プラグイン可能なPCBコネクターCSD88537ND SOIC-8 MOSFET 製品説明: このSO-8,60V,12.5mΩ NexFETTM電源のMOSFETは,低電流モーター制御アプリケーションで半橋として機能するように設計されています. 適用: &b.........

SI2302CDS-T1-GE3破片の集積回路IC MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23 製品の説明 部品番号# SI2302CDS-T1-GE3はVishayの技術によって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世......

MBRF30100VT+のダイオードの三極管のトランジスターMosfetのダイオードの配列600V 15A To247 MBRF30100VT+ プロダクトParamenters 製造業者: 標準 包装:.........

元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 （SOT-23-3） LN2306LT1G プロダクト 記述: 1. TRANS MOSFET N-CH 30V 5.8A 3 Pin SOT-23 T/R 2.ダイオードおよび整流器のN-channel 30V 5.8A.........

AOD522P D522P 30V 17A NチャネルSINGEL MOSFET TO252の表面の台紙 FETのタイプ Nチャネル 技術 MOSFET （金属酸化物） 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） 30V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 17A （Ta）、46A （Tc） 運......