BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 SOT-23パッケージとESD保護を備え、低電力スイッチング負荷スイッチングやDC-DC変換に最適

BSS123LT1G NチャネルMOSFET低170mΩ RDS (オン) 20V VDS 100V アヴァランス定数 低電源切換負荷切換とSOT-23パッケージとESD保護によりDC-DC変換に最適

特徴

•HBMクラス0A,MMクラスM1B (注4)

•BVSSプレフィックス 自動車用およびユニークなサイトおよび制御変更要件を必要とする他のアプリケーション; AEC−Q101 資格があり,PPAP 対応

•これらのデバイスは,Pb−フリーで,RoHS準拠です.

申請

• 負荷切換:電路の部分の電源オン/オフの制御

• レベルシフト:異なる電圧域の回路間の信号変換 (例えば,3.3V信号を5Vに変換)

• LED運転:LEDのオン/オフ状態を制御するスイッチや単純なPWMディミングのスイッチとして動作する.

• ロジックインターフェイス ブッファー/ドライビングマイクロコントローラGPIOピンの駆動能力を向上させ,より大きな負荷を駆動する.

• 高速切り替え:スイッチモード電源,DC-DC変換器 (低電源) の二次側同期直線に使用される.

• 消費電子機器:携帯デバイス 例えば携帯電話 タブレット デジタルカメラ

• 自動車電子機器:身体制御モジュール,センサーインターフェイスなど (注:特定の部品がAEC合格かどうかを確認する.BSS123LT1Gは通常産業用/商業用品である).

記述

1:低値電圧 (Vgs(th)):通常は1.6Vから2.1Vの間にあり,これは低電圧 (例えば3.3Vまたは2.5V) によって直接動かすことができることを意味します.

GPIOをマイクロコントローラーから),論理レベルのアプリケーションに最適化.

2:低オン抵抗 (RDS(オン)10V Vgs で最大6Ω と 4.5V Vgs で最大10Ω.より低い RDS ((オン) は,より少ない電源損失と電圧を意味します.

オンにすると 降るので 効率が上がります

3:小さなパッケージ (SOT-23):とても小さな足跡で PCBのスペースを節約します 現代のコンパクト電子機器に最適です

4:高速スイッチング性能:PWMなどの頻繁な切り替えを必要とするアプリケーションに適した高速切換速度

コントロール

5:連続流出電流 (Id):170mAまで,LED,小型リレー,モーターなどの小さな負荷を制御するのに適しています.

6:排水源電圧 (Vdss):最大100Vで,比較的高電圧の回路で使用できます.

情報

図面

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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