BSS138K Nチャネル0.35W 0.22Aのケイ素力MOSFET
型式番号:BSS138K
原産地:中国
最低順序量:3000pcs
支払の言葉:T/T、MoneyGram
供給の能力:月10億部分の
受渡し時間:4-5weeks
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確認済みサプライヤー
Dongguan Guangdong China
住所：
Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 1 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
BSS138KのN-Channelの強化モード力MOSFET
特徴
1. VDS = 50VのID = 0.22A RDS （） < 3=""> ESDの評価:HBM 2300V
2.高い発電および現在の渡す機能
3.無鉛プロダクトは得られる
4.表面の台紙のパッケージ
絶対最高評価（通知がなければTA=25℃）
| 変数 | 記号 | 限界 | 単位 | ||||||||||
| 下水管源の電圧 | VDS | 50 | V | ||||||||||
| ゲート源の電圧 | VGS | ±20 | V | ||||||||||
| 現在連続的流出させなさい | ID | 0.22 | |||||||||||
| 現在脈打つ下水管（ノート1） | IDM | 0.88 | |||||||||||
| 最高の電力損失 | PD | 0.35 | W | ||||||||||
| 作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TSTG | -55から150 | ℃ | ||||||||||
電気特徴（通知がなければTA=25℃）
| 変数 | 記号 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | |||||||
| 特徴を離れて | |||||||||||||
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | VGS =0V ID =250ΜA | 50 | 65 | - | V | |||||||
| ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ | IDSS | VDS =50V、VGS =0V | - | - | 1 | μA | |||||||
| ゲート ボディ漏出流れ | IGSS | VGS =±10V、VDS =0V | - | ±110 | ±500 | nA | |||||||
| VGS =±12V、VDS =0V | - | ±0.3 | ±10 | uA | |||||||||
| 特徴（ノート3） | |||||||||||||
| ゲートの境界の電圧 | VGS （Th） | VDS =VGS、ID =250ΜA | 0.6 | 1.1 | 1.6 | V | |||||||
| 下水管源のオン州の抵抗 | RDS （） | VGS =5V、ID =0.2A | - | 1.3 | 3 | Ω | |||||||
| VGS =10V、ID =0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
| 前方相互コンダクタンス | gFS | VDS =10V、ID =0.2A | 0.2 | - | - | S | |||||||
| 動特性（Note4） | |||||||||||||
| 入れられたキャパシタンス | Clss | VDS =25V、VGS =0V、F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
| 出力キャパシタンス | Coss | - | 15 | - | PF | ||||||||
| 逆の移動キャパシタンス | Crss | - | 6 | - | PF | ||||||||
| 転換の特徴（ノート4） | |||||||||||||
| Turn-on遅れ時間 | td （） | VDD =30V、ID =0.22A VGS =10V、RGEN =6Ω | - | - | 5 | nS | |||||||
| Turn-on上昇時間 | tr | - | - | 5 | nS | ||||||||
| Turn-Off遅れ時間 | td （） | - | - | 60 | nS | ||||||||
| Turn-Off落下時間 | tf | - | - | 35 | nS | ||||||||
| 総ゲート充満 | Qg | VDS =25V、ID =0.2A、 VGS =10V | - | - | 2.4 | NC | |||||||
| 下水管源のダイオード特徴 | |||||||||||||
| ダイオード前方電圧（ノート3） | VSD | VGS =0Vは、=0.22Aである | - | - | 1.3 | V | |||||||
| ダイオードの前方現在（ノート2） | ある | - | - | 0.22 | |||||||||
注:
1.反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
2. FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。
3.脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300μsの使用率の≤ 2%。
4.意図的に、ない生産に応じて保証されて
1.反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
2. FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。
3.脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300μsの使用率の≤ 2%。
4.意図的に、ない生産に応じて保証されて
BSS138K Nチャネル0.35W 0.22Aのケイ素力MOSFET
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