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DMN26D0UFB4-7 ダイオード モスフェット 強化モード モスフェット 20V N-Chan X2-DFN1006

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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DMN26D0UFB4-7 ダイオード モスフェット 強化モード モスフェット 20V N-Chan X2-DFN1006

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モデル番号 :DMN26D0UFB4-7
産地 :UAS
最低注文量 :1pcs
支払条件 :T/T、L/C
供給能力 :300000 PCS+48時間
配達時間 :24-72hours
パッケージの詳細 :巻き枠
ダイオード :DMN26D0UFB4-7
パッケージ :X2-DFN1006
チャンネル数 :1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :20ボルト
Id 連続流出電流 :240 mA
Pd力の消滅 :350 MW
最低の働く温度 :-55℃
作業温度 :+150℃
パッキングの量 :3000 PC
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DMN26D0UFB4-7 ダイオード MOSFET 強化モード MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006

DMN26D0UFB4-7B

 

 

製造者:ダイオード株式会社
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー: Si
設置スタイル:SMD/SMT
パッケージ/箱:X2-DFN1006-3
トランジスタの極度:Nチャンネル
チャンネル数: 1 チャンネル
Vds-排水源断熱電圧: 20 V
id 連続流出電流: 240 mA
Rds オン・ドラン・ソース・オン・レジスタンス: 3 オーム
Vgs - ゲート・ソースの電圧: - 12 V, + 12 V
Vgs ゲート・ソースの限界電圧: 600 mV
Qgゲートチャージ: -
最低動作温度: -55°C
最大動作温度: +150°C
Pd電力の消耗: 350 mW
チャンネルモード: 強化
シリーズ:DMN26
パッケージ:リール
構成: 単機
落ちる時間: 15.2 ns
前向トランスコンダクタンス - 最低:180mS
上昇時間: 7.9 ns
梱包量: 3000 PCS
トランジスタタイプ: 1 Nチャネル
典型的なシャットダウン遅延時間: 13.4 ns
典型的な延期時間: 3.8 ns
単位重量: 1 mg

 

 

DMN26D0UFB4-7 ダイオード モスフェット 強化モード モスフェット 20V N-Chan X2-DFN1006

DMN26D0UFB4-7 ダイオード モスフェット 強化モード モスフェット 20V N-Chan X2-DFN1006

 

 

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