mosfetトランジスタ pdf

元のIRF7404TRPBF SOP8 Pチャネル20V 7.7A SMD MOSFETのトランジスター記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名.........

FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT......

トランジスターNチャネルMOSのトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1新しい部品MOSFETのトランジスター 製品の説明 代わり強く速いボディ ダイオード 減らされたシステム費用および複雑さ より高い強さおよび装置の信頼度 製品仕様書.........

AO4447Aの電子集積回路のトランジスターAOS 1.General記述AO4447Aは低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチおよび電池の保護適用にとって理想的である。RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 2.Applicationsシステム........

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BSS138 N-Channel 50-V （D-S） MOSFET...

製品の説明 BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するため.........

電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 .........

SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........

離散半導体 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET 製品説明: MOSFETOptiMOSTM5 パワートランジスタ,100V 特徴: •高周波スイッチとシンクレスの理想•Nチャンネル,通常のレベル•FOMOSS に最適化•RDS (オン)•175° 協力温度•Pbフリ......

INFINEON チップ IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース.........

トランジスター- FETs ICはAO4884 Mosfetの配列2のN-Channel （二重） 40V 10A 2Wの表面の台紙8-SOICを欠く 製品の説明 部品番号AO4884はチタニウムの技術によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビュー.........

LCR-T4 Mega328のトランジスター テスターのダイオードの抵抗器のコンデンサーのテスターESRのメートル 記述 1. 容易な読書のためのデジタル128*64 LCD表示は、測定されたデータおよびグラフィックを表示できます。 2. 短い探知時間:1.7秒だけ。バルク コンデ.........

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♦Eメール： miya@mvme.cn ♦Skype：miyazheng520 ♦QQ：2851195450 ♦Whatsアプリ：86-18020776792 一般情報 ABB 3BHE006412R0101 IGBT（InsulatedGateBipolarT......

2N7002P andnbsp; 2N7002P...

TFT LCDの表示RGBインターフェイスが付いている2.4のインチのグラフィックのビデオ・ディスプレイ 指定: FT2493JPY-14P V2-TN SPI specFS.pdf TFT LCDは何であるか。 薄膜のトランジスター液晶表示装置（TFT LC.........

製品詳細 一般説明AS1353/AS1356は,1〜10μFのコンデンサで使用するように設計された高性能固定電圧の線形LDOである.装置は,電源トランジスタが線形モードで動作するときに,低脱出条件下で優れたパフォーマンスを提供することができます.統合PチャネルMOSFET出力は,.........