mosfetトランジスタデータシート

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........

D1028UK RF MOSFET トランジスタ RF MOSFET N-CH 70V 30A 5ピンケース DR 製造者: TT電子 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流:.........

元のIRF7404TRPBF SOP8 Pチャネル20V 7.7A SMD MOSFETのトランジスター記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名.........

プロダクト細部 包装管部分の状態活動的FETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C49A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V（最高） @ ID、VgsのRds17.5のmOhm.......

FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT......

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FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

NチャネルIXTH24N50L線形力MOSFETのトランジスターTO-247単一のFETsのトランジスター IXTH24N50Lの製品の説明 IXTH24N50LはN-Channel線形操作のために設計されている線形力MOSFETのトランジスター パッケージであるTO-247.........

MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター 高圧トランジスターNPNのケイ素 発注情報 装置順序 数パッケージのタイプ 出荷の† MMBTA42LT1G SOT−23.........

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集積回路IC E047 05 モスフェットトランジスタ TO247 IRFP064NPBF P3 LEDモジュールトランジスタアンプパーツトランジスタ [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,.........

トランジスターNチャネルMOSのトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1新しい部品MOSFETのトランジスター 製品の説明 代わり強く速いボディ ダイオード 減らされたシステム費用および複雑さ より高い強さおよび装置の信頼度 製品仕様書.........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

AO4447Aの電子集積回路のトランジスターAOS 1.General記述AO4447Aは低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチおよび電池の保護適用にとって理想的である。RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 2.Applicationsシステム........

BLF7G27L-90PのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路BLF7G27L-90P 指定 項目 価値 D/C 新しい...

指定新しく、元の各パート3速いdelicery 4の1つの競争価格2の保証...

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BSS138 N-Channel 50-V （D-S） MOSFET...

JY13M NおよびH橋およびインバーターのための低い入れられたキャパシタンスのPチャネル40V MOSFET 概説JY13Mは優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである。補足のMOSFETsはH橋、インバーター.........

製品の説明 BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するため.........