16-SSIP Through Hole NXV65HR82DZ2 MOSFET Hブリッジ 650V 26A パワードライバーモジュール NXV65HR82DZ2の製品説明 NXV65HR82DZ2は,H-ブリッジ L形 MOSFET自動車電源モジュールで,LLCおよび相転換DC-DC変換.........
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STF10N80K5 Chipscomponentの電子部品ICの破片 STF10N80K5マイクロ電子部品は欠く真新しい元のTO-220F (TO-220IS)を MOSFETのN-channel 800 Vの0.470オームのタイプ9 MDmesh K5力MOSFET.........
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NTF3055L108T1G力MOSFET 3.0 A、60ボルト線形力mosfetの堀力mosfet 特徴 •Pb−Freeのパッケージは利用できます 適用 •電源 •コンバーター •力の運動制御 •ブリッジ・サーキット .........
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IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........
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NTTFS5116PLTAG MOSFET パワーエレクトロニクス NTTFS5116PLTAG MOSFET パワー エレクトロニクスは、さまざまなアプリケーションで使用するために設計された高性能パワー半導体デバイスです。低いオン状態抵抗、高いスイッチング速度、優れた熱管理特性を.........
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JY213H高圧3段階のゲートの運転者3つの独立した高低の側面が参照されて出力チャネル 記述JY213Hは高速力MOSFETおよびIGBTです3つの独立した高低の側面が付いている運転者3段階のゲートの運転者のための参照された出力チャネル。作り付けのdeadtimeの保護およ.........
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高い発電MOSFET NTTFD018N08LC 80V POWERTRENCH®力クリップ半分橋構成 [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするで.........
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NTF3055L108T1GはMOSFET 3.0 A、60ボルト線形力mosfetの堀力mosfetに動力を与える 特徴 •Pb−Freeのパッケージは利用できる 適用 •電源 •コンバーター •力の運動制御 •ブリッジ・サーキット.........
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プラグイン可能なPCBコネクターCSD88537ND SOIC-8 MOSFET 製品説明: このSO-8,60V,12.5mΩ NexFETTM電源のMOSFETは,低電流モーター制御アプリケーションで半橋として機能するように設計されています. 適用: &b.........
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JY13M NおよびH橋およびインバーターのための低い入れられたキャパシタンスのPチャネル40V MOSFET 概説JY13Mは優秀なRDS ()および低いゲート充満を提供できるNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである。補足のMOSFETsはH橋、インバーター.........
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2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........
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集積回路UCC37324DR 37324 SOP-8完全な橋運転者ICの破片 製品の説明: 1. UCC37324DR FETドライブSOIC-8 2.二重4-Aピークの高速低側の力MOSFETの運転者は高速低側のパワーMOSFETの運転者4-Aピークの二倍になる 3. 高.........
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IRF100S201 100%オリジナルMOSFET MOSFET、100Vの192A 4.2 mOhm、170 NC Qg 1.適用 ブラシをかけられたモーター ドライブ塗布BLDCモーター ドライブ塗布電池式回路半橋および全橋地勢学同期整流器の塗布共鳴モード電源Oリングおよび余分な電源スイッ........
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L9960TR半分橋運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD 記述: 装置は自動車適用の抵抗および誘導負荷のための統合されたH橋である。 ターゲット塗布は燃料制御のアクチュエーター、排気再循環の制御弁を含んでいる ターボ、折り返し制御および電気ポンプのような一般目的DCモ.........
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NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章: NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........
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要求のコンバーターのための高性能MOSFET48N60DM2 -早く回復ボディ ダイオードが付いているN-channel 600V MOSFET 最もデマンドが高い高性能のコンバーターを扱うことができるMOSFETを捜すか。48N60DM2よりそれ以上に見てはいけない。低いRDSを使うと結合.........
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3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 (J)及び(PbF) 製品の説明 包装テープ及び巻き枠(TR) 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........
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