NTTFS5116PLTAG Mosfet トランジスタの高性能と信頼性
型式番号:NTTFS5116PLTAG
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NTTFS5116PLTAG MOSFET パワーエレクトロニクス
NTTFS5116PLTAG MOSFET パワー エレクトロニクスは、さまざまなアプリケーションで使用するために設計された高性能パワー半導体デバイスです。低いオン状態抵抗、高いスイッチング速度、優れた熱管理特性を備えています。このデバイスは、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、ハーフブリッジ コンバータ、フルブリッジ コンバータなど、さまざまな電源トポロジでの使用に適しています。
特徴：
• 低いオン状態抵抗: RDS(On) = 0.091 オーム
• 高速スイッチング速度: tF/tR = 6.5/6.5 ナノ秒
• 高ピーク電流能力: IDSM = 11.9A
• 低ゲート電荷: Qg = 10.5 nC
・低い熱抵抗：RθJC = 0.71℃/W
• 標準TO-220パッケージ
• 鉛フリー、RoHS 準拠
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 52ミリオーム @ 6A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 25nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1258 pF @ 30 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.2W(Ta)、40W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利
• SKL
は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>
• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンライン チャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>
• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24
時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
NTTFS5116PLTAG Mosfet トランジスタの高性能と信頼性
お問い合わせカート
0