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NTTFS5116PLTAG MOSFET パワーエレクトロニクス
NTTFS5116PLTAG MOSFET パワー エレクトロニクスは、さまざまなアプリケーションで使用するために設計された高性能パワー半導体デバイスです。低いオン状態抵抗、高いスイッチング速度、優れた熱管理特性を備えています。このデバイスは、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、ハーフブリッジ コンバータ、フルブリッジ コンバータなど、さまざまな電源トポロジでの使用に適しています。
特徴：
• 低いオン状態抵抗: RDS(On) = 0.091 オーム
• 高速スイッチング速度: tF/tR = 6.5/6.5 ナノ秒
• 高ピーク電流能力: IDSM = 11.9A
• 低ゲート電荷: Qg = 10.5 nC
・低い熱抵抗：RθJC = 0.71℃/W
• 標準TO-220パッケージ
• 鉛フリー、RoHS 準拠
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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52ミリオーム @ 6A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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25nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1258 pF @ 30 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.2W(Ta)、40W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-WDFN (3.3x3.3)
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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