Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NTTFS5116PLTAG Mosfet トランジスタの高性能と信頼性

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NTTFS5116PLTAG Mosfet トランジスタの高性能と信頼性

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型式番号 :NTTFS5116PLTAG
原産地 :複数の起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
製品タイプ :MOSFETのパワー エレクトロニクス
製造業者 :onsemi
製造業者プロダクト数 :NTTFS5116PLTAG
記述 :MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
製造業者の標準的な調達期間 :1-7days
詳細な説明 :P-Channel 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta)、40W (Tc)表面の台紙8-WDFN (3.3x3.3)
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NTTFS5116PLTAG MOSFET パワーエレクトロニクス

NTTFS5116PLTAG MOSFET パワー エレクトロニクスは、さまざまなアプリケーションで使用するために設計された高性能パワー半導体デバイスです。低いオン状態抵抗、高いスイッチング速度、優れた熱管理特性を備えています。このデバイスは、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、ハーフブリッジ コンバータ、フルブリッジ コンバータなど、さまざまな電源トポロジでの使用に適しています。

特徴:

• 低いオン状態抵抗: RDS(On) = 0.091 オーム
• 高速スイッチング速度: tF/tR = 6.5/6.5 ナノ秒
• 高ピーク電流能力: IDSM = 11.9A
• 低ゲート電荷: Qg = 10.5 nC
・低い熱抵抗:RθJC = 0.71℃/W
• 標準TO-220パッケージ
• 鉛フリー、RoHS 準拠

製品の状態
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
52ミリオーム @ 6A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
25nC@10V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1258 pF @ 30 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
3.2W(Ta)、40W(Tc)
動作温度
-55℃~175℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ・ケース
基本製品番号

当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利


• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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購入方法>>>


• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
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サービス >>>


• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。

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