製品カテゴリ

電子集積回路

[305]

IGBT モジュール

[38]

GPSモジュール

[3]

3G モジュール

[3]

CCD CMOSセンサー

[16]

Quectelモジュール

[2]

2Gモジュール

[3]

IGBTの運転者

[7]

TEのリレー

[10]

gsm gprs モジュール

[6]

IPのカメラSoc

[12]

LTE 4G モジュール

[7]

スイッチング電源

[22]

モーター冷却ファン

[8]

PCB プロトタイプ

[11]

PCBアセンブリ

[9]

企業との接触

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：Mr段

表示連絡先の詳細

企業との接触

China Infineon IR BLDCモーターNチャネルMOSFET 192A IRF100S201 wholesale

Infineon IR BLDCモーターNチャネルMOSFET 192A IRF100S201

最新の価格を尋ねる

型式番号 :IRF100S201

原産地 :中国

最低順序量 :10pcs

支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン

供給の能力 :8000PCS/WEEK

受渡し時間 :2-3days

包装の細部 :800ピース/リール

製品カテゴリ :Mosfet

トランジスター極性 :Nチャネル

チャネルの数 :1つのチャネル

Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :100ボルト

ID -連続的な下水管の流れ :192A

Rdsのオン下水管源の抵抗 :4.2のmOhms

Vgs -ゲート源の電圧 :-20 V、+ 20 V

VgsのTh -ゲート源の境界の電圧 :2ボルト

Qg -ゲート充満 :170 NC

最低の実用温度 :- 55 C

最高使用可能温度 :+ 175 C

Pd -電力損失 :441W

高さ :2.3 mm

長さ :6.5 mm

幅 :6.22 mm

前方相互コンダクタンス-分 :278 S

落下時間 :100 ns

上昇時間 :97 ns

典型的なTurn-Off遅れ時間 :110 ns

遅れ時間回転に典型的 :17 ns

工場パックの量 :800

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

IRF100S201 100%オリジナルMOSFET MOSFET、100Vの192A 4.2 mOhm、170 NC Qg

1.適用

ブラシをかけられたモータードライブ塗布
BLDCモータードライブ塗布
電池式回路
半橋および全橋地勢学
同期整流器の塗布
共鳴モード電源
Oリングおよび余分な電源スイッチ
DC/DCおよびAC/DCのコンバーター
DC/ACインバーター

2. 利点

改良されたゲート、なだれおよび動的dV/dtの険しさ
十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
高められたボディダイオードdV/dtおよびdI/dtの機能
、迎合的なRoHS無鉛ハロゲンなし

3.HEXFET®力MOSFET

4.Whyは私達を選ぶか。
新しい100%および利点の価格のoriginao
高性能
速い配達
専門のチームサービス
10年は電子部品を経験する
電子部品の代理店
利点の記号論理学の割引
優秀な売り上げ後のサービス

商品のタグ：