48N60DM2 STWA48N60DM2 MOSFET PTDのPSUの電源のための高圧交換部品

型式番号:STWA48N60DM2

原産地:広東省、中国

包装の細部:標準的なカートン

供給の能力:1000の部分/部分每の週

最低注文量:1

タイプ:MOSFET

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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

確認済みサプライヤー

Shenzhen China

住所： Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 39 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

要求のコンバーターのための高性能MOSFET

48N60DM2 -早く回復ボディダイオードが付いているN-channel 600V MOSFET

最もデマンドが高い高性能のコンバーターを扱うことができるMOSFETを捜すか。48N60DM2よりそれ以上に見てはいけない。低いRDSを使うと結合されて低い回復充満および時間が（）、このMOSFETは橋地勢学およびZVSの偏移コンバーターにとって理想的である。優秀な性能に加えて、48N60DM2はまた極端に低いゲート充満および入力キャパシタンスを特色にする、また100%のなだれであることはテストした。

プラス、非常に高いdv/dtの険しさおよびZener保護はそれに信頼でき、安全な選択をする。48N60DM2 -高性能および信頼性のための完全な選択のあなたのコンバーターを改善しなさい。このテキストは製品の機能および利点に焦点を合わせることによって転換を最大限に活用するために意味される、読者の注意をつかむのに従事の言語を使用している間。プロダクトの利点の強調によって処置をとり、プロダクトを購入するために、顧客は本当らしい。

製品カテゴリ	MOSFET
技術	Si
様式の取付け	穴を通して
パッケージ/場合	TO-247-3
トランジスター極性	N-Channel
チャネルの数	1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧	600ボルト
ID -連続的な下水管の流れ	40 A
Rdsのオン下水管源の抵抗	65のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧	- 25ボルト、+ 25ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧	3ボルト
Qg -ゲート充満	70 NC
最低の実用温度	- 55 C
最高使用可能温度	+ 150 C
Pd -電力損失	300 W
チャネルモード	強化
包装	管
構成	単一
シリーズ	STWA48N60DM2
トランジスタータイプ	1つのN-Channel
落下時間	9.8 ns
製品タイプ	MOSFET
上昇時間	27 ns
下位範疇	MOSFETs
典型的なTurn-Off遅れ時間	131 ns
典型的なTurn-On遅れ時間	27 ns
単位重量	0.211644 oz