低側モスフェットドライバー

MIC5020YM-TR マイクロチップ IC ドライバ MOSF LO サイド HS 8-SOIC ゲート ドライバ高速ローサイド MOSFET ドライバ MIC5020YM メーカー: マイクロチップ製品タイプ: ドアドライバー製品: MOSFETゲートドライ.........

ゲートの運転者4二重低いサイドMOSFETの運転者 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: STMicroelectronics 製品カテゴリ: ゲートの運転者......

MIC4426/4427/4428 二重1.5Aピークの低側のMOSFETの運転者 概説 MIC4426/4427/4428家族は低い電力の消費および高性能のためのBiCMOS/DMOSプロセスで製造される信頼性が高い二重lowside MOSFETの運転者である。これらの運転者は.........

製品名:IR2104PBFの半導体ICの破片 製品の説明:IR2104PBFは高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。この運転者は600Vまで作動する高い側面構成の力のMOSFETsそしてIGBTsを運転するように設計.........

シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている: 半導体マイクロコントローラートランジスタダイオード.......

トランジスター、耐久の高いAmpのトランジスターを使用するAP6H03S Mosfetの運転者 トランジスター記述を使用するMosfetの運転者: AP6H03Susesの高度の堀優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかも.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

高い発電MOSFET FAN3224TU_F085の低側のゲートの運転者、高速二重4-A [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、.........

LMG1025QDEETQ1 高周波および狭いパルスアプリケーションのための自動車低サイドガンおよびMOSFETドライバー LMG1025QDEETQ1の製品説明 LMG1025QDEETQ1は,高スイッチング周波数自動車アプリケーションのための単チャンネル低側強化モードGaN FETと論理レ.........

JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET 概説 JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかも.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

製品の説明 TC4426 TC4427 TC4428のマイクロチップ1.5A二重逆になる力MOSFETの運転者の集積回路IC PMIC TC4426 TC4427 TC4428のマイクロチップ1.5A二重逆になる力MOSFETの運転者の集積回路IC TC4426EOA713 .........

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電........

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

MC34152PG デュアルMOSFETドライバ 1.5A ピーク電流 12V-18V 供給 50ns 上昇/低下 DIP-8 -40anddeg;C から +85anddeg;C そして 特徴 2つの独立したチャンネルと 1.5Aトーテムポール出力 1000 pF の負荷で15 ns の出力上昇と......